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上周和同学们聊了《MOS管的米勒效应（1）》，相信认真阅读的同学应该清楚意思到栅-漏极电容Cgd在此过程中的影响。这里面涉及一个重要计算，在上一篇中篇幅有限，今天和大家一起讨论下。
一道问题
照例，先抛出一个问题：在MOS管的等效电路中，栅-漏电容Cgd等效到输入回路中的容值是多少？推导过程是怎样的？
这道题的难点在于推导过程，这需要同学们理解，而不是死记硬背。
等效电路
为便于理解，我们以带有栅极偏置的共源极放大电路作为分析对象。如下图所示，首先画图其直流通路，比较简单，这里我们不做过多分析。
接着，我们画出其交流通路。注意，这里我们使用的不是MOS管的低频小信号模型，而是高频小信号模型。
因为在低频模式下，我们是通常是忽略结电容的影响。高频模式下，交流通路如下图所示。
可能会有同学问了，这里和三极管的交直流通路很像。对的，确实相似，因为两者存在很多相通性。所以在学校里，很多老师只讲三极管放大电路，MOS管放大电路是自学部分。三极管部分，不清楚的同学可以回看《终于把共射放大电路不放大的原因说清楚了》，不做赘述。
以电流为切入点
细心的同学会发现在上图中标注了Ig，Ig1和Ig2，其中Ig1是流过Cgs电容的电流，Ig2为流过Cgd电容的电流，而Ig是Ig1和Ig2的干路总电流，Ig=Ig1+Ig2。
在上图中，Ig1=jw*Cgs*Vgs，Ig2=jw*Cgd*Vgd。相信这点，同学们很容易理解。
当前的关键点在于Vgd是多少？
根据基尔霍夫电压KVL定律，有如下关系推导：
令RL'=Rd//RL，则有：
如此，
而，
对比Ig2和Ig1的关系式，可以引入电容Ceq，有：
Ceq在输入回路中的电流，有：
于是，Ceq可以看做是Cgd在输入回路上的等效电容，此时的容值已经放大了（1+gmRL'）倍。
当年的小喽喽(Cgd)，在输入回路中，摇身一变已经成为别人口中的大哥，举足轻重，不容忽视了！
总 结
今天聊的内容，相对简单，只是作为上一篇《MOS管的米勒效应（1）》的补充，重点说明了栅-漏电容Cgd等效到输入回路的定量关系及其推导过程。
最后附上整个的推导过程，详见下图。
现在已经是2023/2/6凌晨 0:56，希望今天讨论的内容对你有用。预告下，下一篇讲MOS管米勒效应的仿真。
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