MOS管驱动电路

MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。

MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

01  直接驱动MOS

直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。

第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。

第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如果寄生电容的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果驱动IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。

如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把R1减小，也不能解决问题!

IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。

02  图腾柱电路驱动MOS

如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不足时，需要在驱动电路上增强驱动能力，常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，其电路图 如下图所示。

这种驱动电路作用在于，提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

03  驱动电路加速MOS管关断时间

关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。

为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如下图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。R11是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

除了以上驱动电路之外，还有很多其它形式的驱动电路。对于各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的，只有结合具体应用，选择最合适的驱动。

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