12月21日，长电科技在投资者互动平台表示，“公司已经实现4nm工艺制程手机芯片的封装。我们在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。”
据透露，长电科技全面晶圆级技术平台为客户提供丰富多样的选择，帮助客户将2.5D 和 3D 等各类先进封装集成到智能手机和平板电脑等高级移动设备中，帮助不同客户实现更高的集成度、模块的功能和更小的尺寸的封装技术要求。
在提升散热性能的技术方案中，长电科技和业界客户一起提倡芯片、封装及系统协同设计以实现成本和性能的共同最优化。在成品制造技术上，其将芯片背面金属化技术应用到先进封装中可以显著提升系统导热性。长电科技开发的背面金属化技术不仅可以改善封装散热，同时能够根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力。公司已将芯片背面金属化技术及其制造工艺应用到大批量量产产线中去。
此外，在11月11日，纪念“长电科技50周年”活动中，电科技董事、首席执行长郑力谈及半导体市场传导的“寒意”时表示，集成电路是典型的周期性变化产业。今年消费电子市场下行带来一系列问题的背后，也相应促进了供应链的调整，交货时间更快、供应链成本可控。从更长周期来看，集成电路产业越来越受到重视，尤其是封装测试环节，它将在产业发展中带来更多的创新、更多的价值，未来前景依然广阔。
据悉，近年来长电科技坚持国际国内“双循环”布局，不断优化产品结构和业务比重，灵活调整订单结构和产能布局，抵御周期波动能力不断增强。
面对长电科技未来走向基础研究，或是应用创新的“路线之问”时，郑力指出，长电科技作为以“集成电路后道制造”为核心的企业，是距离应用最近的环节，驱动着企业要充分理解客户产品，理解应用场景，进而支持客户协同设计、开发。未来越来越多的集成电路技术创新落在“后道制造”上，对材料科学、基础科学方面提出了更高要求；尤其是第三代半导体的出现，对技术的要求会有质的变化，这是将来要花大力气去推动的方向。
来源：集微网
化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺。CMP工艺贯穿硅片制造、集成电路制造与封装测试环节。抛光液和抛光垫是CMP工艺的核心耗材，占据CMP材料市场80%以上。 鼎龙股份、华海清科为代表的CMP材料与设备企业受到行业重点关注。
靶材是制备功能薄膜的核心原材料，主要用于半导体、面板、光伏等领域，实现导电或阻挡等功能。在半导体几大材料中，靶材是国产化程度最高的一种。国产铝、铜、钼等靶材领域取得突破，主要上市公司有江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技等。
未来三年将是中国半导体制造产业高速发展期，中芯国际、华虹宏力、长江存储、长鑫存储、士兰微等企业加速扩产，格科微、鼎泰匠芯、华润微等企业布局的12英寸晶圆生产线也将陆续投产，这将带来巨大的CMP材料与靶材需求。
新形势下，国内晶圆厂供应链安全越发重要，培养稳定的本土材料供应商势在必行，这也将给国内供应商带来巨大的机遇。靶材的成功经验，也将给其他材料的国产化发展提供借鉴。
半导体CMP材料与靶材研讨会2022由亚化咨询主办，多家国内外龙头企业重点参与。
会议主题
1.中国CMP材料与靶材政策与市场趋势
2.美国制裁对国内半导体材料供应链的影响
3.CMP材料与靶材市场与重点企业分析
4.半导体CMP抛光研磨液
5.CMP抛光垫与清洗液
6.CMP抛光设备进展
7.半导体靶材市场供需
8.半导体靶材重点企业动向
9.CMP与靶材技术进展
10.靶材国产化经验及借鉴
第3届第三代半导体论坛由亚化咨询主办，多家国内外龙头企业参会，重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链；最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术；展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。
会议主题
1. 美国芯片禁令对中国第三代半导体发展的影响
2. 全球与中国第三代半导体市场及产业发展现状
3. 晶圆产能供需与第三代半导体市场机遇
4. 6吋SiC项目投资与市场需求展望
5. SiC PVT长晶技术&液相法的现状及发展
6. 8吋SiC国产化进程和技术突破
7. SiC市场以及技术发展难题&解决方案
8. GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用
9. GaN在快充市场中的发展及替代情况
10. GaN激光器件技术和市场应用
11. 国产化与技术及设备发展机遇与挑战
12. 其他第三代半导体发展前景
13. 工业参观与考察（重点企业或园区）
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