在美国将总部位于中国的长江存储列入黑名单后，三星在12月上半月将其3D NAND闪存设备的定价提高了10%。根据DigiTimes的一份报告，由于一些PC制造商暂时暂停了与长江存储的合作，其他制造商对3D NAND的需求增加了，所以三星提高了报价。
据悉，长江存储在本月初的闪存峰会 (FMS) 2022 上发布了采用 Xtacking 3.0 架构的 X3-9070 TLC 3D NAND 闪存。该闪存实现了高达 2400MT / s 的 I / O 速度，符合 ONFI 5.0 标准，相比上一代产品性能提升 50%。
在长江存储进入“未经核实清单”（UVL）后的最后几个月里，美国政界人士公开称长江存储是对美国国家安全构成威胁。因此，苹果决定不从长江存储购买3D NAND，即使是在中国分销的iPhone。
显然，其他PC OEM也纷纷效仿，并暂停了与中国闪存制造商合作，要么是因为他们不想卷入政治丑闻，要么是因为他们不确定长江存储能否按时提供足够的内存，因为如果没有美国商务部的允许，长江存储将被禁止从美国供应商那里购买技术和零部件，除非他们从美国商务部获得特别出口许可证。
据悉，包括美光、三星和SK Hynix在内的其他制造商生产的3D NAND内存的需求增加，市场领导者三星甚至决定提高其3D NAND价格以利用这次机会。
目前尚不清楚三星在 12 月 1 日提高合同 3D NAND 定价将如何影响 3D NAND 的总体价格，尤其是固态驱动器的价格。3D TLC 存储器的报价已经停滞了数月，因此小幅上涨对闪存制造商来说将是一个积极信号。与此同时，三星几乎没有向竞争的 SSD 制造商销售大量 3D NAND，尤其是那些生产一些最好 SSD的公司 ，因此我们不会看到三星的行动对 SSD 价格产生重大影响。尚待观察的是，美光、三星和 SK 海力士减少 3D NAND 产量何时会对市场产生实际影响。TrendForce 认为，由于实际设备制造商手头有大量 3D NAND，因此减产的影响不会在 2022 年第四季度出现，也没有对 2023 年第一季度做出预测。与之相反的是，因通膨导致 PC 等产品销售停滞、DRAM 持续供应过剩，导致 11 月价格下跌约 10%，连续 7 个月下滑，且跌幅呈现扩大。
据日经新闻报道，2022年11月份指标性产品DDR4 8Gb批发价为每个1.9美元左右，较前一个月份（10月）下跌12%；容量较小的4Gb产品价格为每个1.55美元左右，较前一个月份下跌11%。8Gb、4Gb价格皆为连续第7个月下滑、且跌幅皆较前一个月份（皆月减10%）呈现扩大，和去年同月相比皆大减约四成。
报道指出，DRAM批发价格为存储器厂商和客户间每个月或每季敲定一次，而做为卖方的韩国存储器厂商为了压缩年末库存、似乎以低价贩售，而PC、模组厂商等买方的采购意愿虽不高，但基于稳定采购的考量、仍持续购买一定的数量，因此双方最终敲定价格调降约一成。据报道，存储器厂商虽开始减产，不过当前仍持续呈现供应过剩，市场普遍预期12月以后价格恐持续下跌。Gartner 11月28日发表预估报告指出，因经济重启、消费者支出转向休闲等领域，加上通膨冲击，导致PC、智能手机等民生用品需求萎缩，因此将明年（2023年）全球半导体市场规模自原先（7月）预估的6,230亿美元（年减2.5%）下修至5,960亿美元、将年减3.6%。存储器市场需求尤为疲弱。Gartner预估，DRAM在2023年1-9月、NAND Flash在2023年1-6月期间将陷入供应过剩局面。日本电子情报技术产业协会（JEITA）11月29日发布新闻稿指出，根据WSTS最新公布的预测报告显示，因智能手机、PC需求疲弱，导致存储器需求预估将呈现大幅减少、逻辑需求萎缩，因此将2023年全球半导体销售额预估值自原先（8月）预期的年增4.6%大幅下修至年减4.1%、金额为5,565.68亿美元，将为4年来（2019年以来）首度陷入萎缩。WSTS预估2023年存储器（Memory）销售额将大减17.0%至1116.24亿美元。什么是3D NAND
3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。
NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/m㎡，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/m㎡，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/m㎡。
在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel在今年9月发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。
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