来源：科技新报
韩国媒体报导，一家韩国小公司开发出新材料，有望显著提高荷兰半导体设备公企业艾司摩尔 (ASML) 极紫外光微影曝光设备 (EUV) 良率。
BusinessKorea 报导，半导体和显示材料开发商石墨烯实验室 (Graphene Lab) 日前宣布，开发出使用石墨烯制造、小于 5 纳米的 EUV 光罩护膜 (Pellicle) 技术，并准备好量产。
Graphene Lab 执行长 Kwon Yong-deok 表示，「光罩护膜过去是由硅制成的，但我们使用了石墨烯，这对于使用 ASML 的 EUV 微影曝光设备设备的半导体企业来说，石墨烯光罩护膜将成为晶圆制造良率的推进助力。」
光罩护膜是种薄膜，可保护光罩表面免受空气微分子或污染物影响，对 5 奈米以下节点先进制程良率至关重要。光罩护膜也是需要定期更换的消耗品，EUV 微影曝光设备光源波长较短，护膜需较薄增加透光率。硅已用于制造光罩护膜，但石墨烯是更好材料，因石墨烯光罩护膜比硅更薄更透明。
报导强调，EUV 光罩护膜必须能够承受曝光时 800°C 或更高温度，高温下硬化特性让硅制产品非常容易破裂。Graphene Lab 指出，石墨烯 EUV 光罩护膜若受采用，全球护膜市场到 2024 年将达 1 兆韩圜，有极大商机，台积电、三星电子、英特尔等半导体企业都是 Graphene Lab 潜在客户。
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