这一节继续对共射放大电路进行总结分析，确定电源的去耦电容！
关键：共射放大器电路；
表1-1 共射放大电路的设计规格
01
如图1-1所示是电源上的去耦电容：
图1-1 电源的去耦电容
图1-1中C3和C4是电源上的去耦电容——即降低电源对GND的交流阻抗用的电容（也称旁路电容）。当没有这个电容时，电路的交流特性就会变的很奇特，严重时电路产生震荡。电容的阻抗为1/(2πfc)，其中频率越高，阻抗应该越小，但是，实际上因内部感抗成分等因素的影响，从图1-2所示的某个频率开始，阻抗反而变高，在结构上，小容量的电容器在高的频率处，而大容量的电容器在较低的频率处，电容的阻抗就会变得最低。
图1-2 电容器的阻抗
因此，在电容上并联连接如图1-1所示的小容量的电容器C3和大容量的电容器C4，在很宽的频率范围减低电源对GND的阻抗。但是，小容量的电容器是在高频情况下降低阻抗用的，所以如果不配置在电路近邻，则电容器的引线增长，由于引线本身的阻抗，电源的阻抗不能降低，在此，采用C3=100nF的叠层陶瓷电容器，C4=10uF的铝电解电容器。
通常小容量的电容器是10nF~100nF的陶瓷电容器，大容量电容器是1~100uF的铝电解电容器。另外，在这样低频率的电路中，即使没有小电容C3，电路也是可以正常工作的，但是在高频电路中，比起大电容C4来，C3起着更为重要的作用。从习惯上来说，旁路电容也是由大电容和小电容两条通路构成的。
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作者：xiaoxiaodawei
来源：小陈是个工程师
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