高性能:美光 232 层 NAND 具有璀璨业界的 NAND 输入/输出 ( I/O )速度(每秒 2.4 GB),可满足低延迟和高吞吐量的需求,适用于人工智能、非结构化数据库、实时分析与云计算等数据密集型工作负载。
数据密度:美光 232 层高密度 NAND 便于客户进行灵活设计,实现了每平方毫米高达 14.6 Gb 的 TLC 密度。面密度比当今市场上的 TLC 竞品高35% 到 100%。
无处不在的应用:更大的存储容量 —— 增加堆叠层数以提高存储容量至每裸片 1 Tb,每封装 2 TB——从智能边缘到云计算,美光 232 层 NAND 为更多设备提供更大存储,以帮助实现更智能,功能更强大的设备。
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