11月21日上午，广东芯粤能半导体有限公司碳化硅芯片制造项目洁净室全面启用仪式在生产主厂房洁净室内顺利举行。
创造建设记录 试投产在即
芯粤能项目自落地打桩，到钢桁架吊装、主体厂房封顶，再到洁净室正式启动，历时不到14个月，创造了国内6英寸和8英寸兼容碳化硅芯片项目建设记录。项目洁净室正式启用标志着工艺设备的有序搬入和调试，为2023年初项目试投产能尽快实现碳化硅芯片制造生产线批量投产做好准备。
项目效果图
突破国外巨头垄断，打造碳化硅航母级企业
行业周知，芯粤能的碳化硅芯片制造项目是广东“强芯工程”重大项目，项目总投资额为75亿元，建成年产24万片6英寸和24万片8英寸碳化硅晶圆芯片的生产能力，预计2023年5月底正式投产。因此，该项目的进展也备受行业关注。
5月17日，广州南沙举办2022年第二季度重大项目集中签约。芯粤能碳化硅芯片制造项目主体工程成功封顶，这意味着国内唯一一家专注于车规级、具备规模化产业聚集及全产业链配套能力的碳化硅芯片制造项目建设取得更进一步。
目前，国内无论是新能源汽车、储能还是光伏发电以及公共消费等领域，碳化硅的应用迅速在增长。但国内能够自给自足的碳化硅芯片几乎是0，全部依赖于国际大厂。
因此，在碳化硅芯片领域实现突破，是本土碳化硅产业崛起的重点方向。“只有我们不再被别人卡着脖子，能够靠国内工程师的勤奋和努力来把控自己的发展的命运，这才能让我国的碳化硅产业飞速发展。”在董事长肖伟国看来，突破国外巨头垄断，做出高水平车规级碳化硅芯片产品是芯粤能的责任与使命。
资料显示，广东芯粤能半导体有限公司位于广州市南沙自贸区，是一家面向车规级和工控领域的碳化硅芯片制造和研发企业，产品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要应用于新能源汽车、工业电源、智能电网以及光伏发电等领域。
来源：芯粤能官微、网易
化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺。CMP工艺贯穿硅片制造、集成电路制造与封装测试环节。抛光液和抛光垫是CMP工艺的核心耗材，占据CMP材料市场80%以上。 鼎龙股份、华海清科为代表的CMP材料与设备企业受到行业重点关注。
靶材是制备功能薄膜的核心原材料，主要用于半导体、面板、光伏等领域，实现导电或阻挡等功能。在半导体几大材料中，靶材是国产化程度最高的一种。国产铝、铜、钼等靶材领域取得突破，主要上市公司有江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技等。
未来三年将是中国半导体制造产业高速发展期，中芯国际、华虹宏力、长江存储、长鑫存储、士兰微等企业加速扩产，格科微、鼎泰匠芯、华润微等企业布局的12英寸晶圆生产线也将陆续投产，这将带来巨大的CMP材料与靶材需求。
新形势下，国内晶圆厂供应链安全越发重要，培养稳定的本土材料供应商势在必行，这也将给国内供应商带来巨大的机遇。靶材的成功经验，也将给其他材料的国产化发展提供借鉴。
半导体CMP材料与靶材研讨会2022将于12月29日在苏州召开。会议由亚化咨询主办，多家国内外龙头企业重点参与。
会议主题
1.中国CMP材料与靶材政策与市场趋势
2.美国制裁对国内半导体材料供应链的影响
3.CMP材料与靶材市场与重点企业分析
4.半导体CMP抛光研磨液
5.CMP抛光垫与清洗液
6.CMP抛光设备进展
7.半导体靶材市场供需
8.半导体靶材重点企业动向
9.CMP与靶材技术进展
10.靶材国产化经验及借鉴
作为新一代通信、新能源汽车、高速列车等新兴战略产业的核心材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点。
碳化硅6英寸晶圆产能处于飞速扩张期，同时以Wolfspeed、意法半导体为代表的头部厂商已经达产8吋碳化硅晶圆。国内厂商如三安、山东天岳、天科合达等厂商主要以6吋晶圆为主，相关项目20余个，投资逾300亿元；国产8吋晶圆技术突破也正迎头赶上。得益于电动汽车及充电基础设施的发展，预计2022-2025年间碳化硅器件的市场增长率将达30%。衬底未来几年内依然是碳化硅器件的主要产能限制因素。
氮化镓器件目前主要由快充功率市场和5G宏基站和毫米波小基站射频市场驱动。GaN射频市场主要由Macom、Intel等占据，功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年，国内企业如三安、英诺赛科、海威华芯等也在积极布局氮化镓项目。另外，氮化镓激光器件快速发展。GaN半导体激光器在光刻、存储、军事、医疗等领域均有应用，目前年出货量在3亿支左右，并且近期以20%的年增长率进行增长，预计2026年市场总量达到15亿美元。
第3届第三代半导体论坛将于2022年12月28日召开。多家国内外龙头企业参会，重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链；最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术；展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。
会议主题
1. 美国芯片禁令对中国第三代半导体发展的影响
2. 全球与中国第三代半导体市场及产业发展现状
3. 晶圆产能供需与第三代半导体市场机遇
4. 6吋SiC项目投资与市场需求展望
5. SiC PVT长晶技术&液相法的现状及发展
6. 8吋SiC国产化进程和技术突破
7. SiC市场以及技术发展难题&解决方案
8. GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用
9. GaN在快充市场中的发展及替代情况
10. GaN激光器件技术和市场应用
11. 国产化与技术及设备发展机遇与挑战
12. 其他第三代半导体发展前景
13. 工业参观与考察（重点企业或园区）
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