欣锐科技:量产应用SiC双向充电技术

半导体前沿 2022-11-17 15:54


  • 第五届中国半导体大硅片论坛将于2022年11月18日苏州召开。

  • 来自沪硅产业、上海超硅、中欣晶圆、鑫华半导体、欢芯鼓伍、安捷伦、梅特勒托利多、浙江埃纳的专家将发布半导体大硅片相关主题的演讲。


近日,欣锐科技在业绩说明会中指出,公司向市场推出的双向充电技术,燃料电池专用产品相关技术等已率先应用第三代半导体碳化硅技术并实现量产。面对所服务客户和项目的配套车型放量,公司已做出了相应的计划和安排,将持续推进深圳工厂自动化生产建设及上海嘉定工厂的建设,以应满足客户需求。目前,公司与众多国内外整车厂长期保持着良好的合作关系,其中包括比亚迪、吉利、本田、北汽、小鹏、长城、长安等。高端装备制造业务上公司尚处于研发阶段;在新能源汽车车载电源产品上公司也每年至少进行一次研发产品升级的频率。



2022年公司营收表现强劲但利润不及预期,主要是因为公司车载电源产品的发展趋势向集成化、小型化和轻量化方向发展,集成类产品在公司整体营收贡献占比逐步提升;以及受到供应链短缺以及大宗原材料价格上涨影响,盈利能力在短时承受压力,但供需的不平衡是暂时的。此外,公司今年收到的政府补助预计将对公司税前利润总额产生积极影响。


截至三季报,公司销售出货所产生的应收账款尚在信用期内;公司存货有所增加,主要是受供应链短缺以及大宗原材料价格上涨影响。为满足客户的配套车型需求,公司加速了深圳工厂自动化生产线的建设投入的流动资金,对关键的芯片等通用物料进行了战略性备货,公司的短期流动负债也大幅增加。公司表示,短期债务的增加对公司的财务成本造成一定的压力,但都在公司经营的可控范围内。


公司指出,今年公司股权激励费用尚未全部平摊结束。公司 2020 年 11 月推出的限制性股票、2021 年 8 月的股票期权和限制性股票,均为三年期行权,截至目前股权激励费用未摊完。关于定向增发情况,公司表示,2022 年度向特定对象发行股票事项已经公司第三届董事会第九次会议、2022 年第一次临时股东大会审议通过,后续情况公司将及时进行信息披露。


公司与众多国内外整车厂长期保持着良好的合作关系,其中包括比亚迪、吉利、本田、北汽、小鹏、长城、长安等。公司面对所服务客户和项目的配套车型放量,已做出了相应的计划和安排。公司正积极推动自动化生产建设,将持续推进深圳工厂自动化生产建设及上海嘉定工厂的建设,以应满足客户需求。受自动化产线结构调整的影响,公司综合产能利用率 2022 年上半年为 57.82%,后续产能将逐步释放。


在新能源汽车车载电源产品研发上,公司近年来保持着每年至少进行一次产品升级的频率。在知识产权领域,公司目前拥有发明专利 60 项、实用新型专利 458 项、外观设计 35 项、软件著作权 434 项,专利及软件著作权数量居行业前列,知识产权保护受到关注对公司也有一定的积极影响。公司向市场推出的双向充电技术,燃料电池专用产品相关技术等已率先应用第三代半导体碳化硅技术并实现量产。


有投资者问及公司大幅计提信用减值和资产减值的原因,公司回应称基于谨慎性原则、根据会计准备计提信用减值和资产减值,对部分账龄较长的或判断存在回收风险的应收账款进行信用减值,同时按照会计准则对部分呆滞库存进行资产减值。后续公司也将会加强对客户的信用评估,优化客户,加大与价值客户的合作。

作为新一代通信、新能源汽车、高速列车等新兴战略产业的核心材料,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点。


碳化硅6英寸晶圆产能处于飞速扩张期,同时以Wolfspeed、意法半导体为代表的头部厂商已经达产8吋碳化硅晶圆。国内厂商如三安、山东天岳、天科合达等厂商主要以6吋晶圆为主,相关项目20余个,投资逾300亿元;国产8吋晶圆技术突破也正迎头赶上。得益于电动汽车及充电基础设施的发展,预计2022-2025年间碳化硅器件的市场增长率将达30%。衬底未来几年内依然是碳化硅器件的主要产能限制因素。


氮化镓器件目前主要由快充功率市场和5G宏基站和毫米波小基站射频市场驱动。GaN射频市场主要由Macom、Intel等占据,功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年,国内企业如三安、英诺赛科、海威华芯等也在积极布局氮化镓项目。另外,氮化镓激光器件快速发展。GaN半导体激光器在光刻、存储、军事、医疗等领域均有应用,目前年出货量在3亿支左右,并且近期以20%的年增长率进行增长,预计2026年市场总量达到15亿美元。


第3届第三代半导体论坛将于2022年12月28日召开。多家国内外龙头企业参会,重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链;最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术;展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。


会议主题

  1. 1.      美国芯片禁令对中国第三代半导体发展的影响

  2. 2.      全球与中国第三代半导体市场及产业发展现状

  3. 3.      晶圆产能供需与第三代半导体市场机遇

  4. 4.      6SiC项目投资与市场需求展望

  5. 5.      SiC PVT长晶技术&液相法的现状及发展

  6. 6.      8SiC国产化进程和技术突破

  7. 7.      SiC市场以及技术发展难题&解决方案

  8. 8.      GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用

  9. 9.      GaN在快充市场中的发展及替代情况

  10. 10.   GaN激光器件技术和市场应用

  11. 11.   国产化与技术及设备发展机遇与挑战

  12. 12.   其他第三代半导体发展前景

  13. 13.   工业参观与考察(重点企业或园区)


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