来源:芯TIP
报告主题:GaN高功率整流器的设计、制造和表征
报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)
动机
理论计算
氮化镓材料参数
固有载流子浓度
击穿电压 (VB)
通态电阻 (RON)
正向压降 (VF) 和漏电流 (IR)
器件建模
边缘端接技术的击穿研究
氮化镓整流器的电气特性
实验数据
带场板端接的 GaN 高压二极管
高功率肖特基二极管阵列(GaN 和 SiC)