Ameya代理丨罗姆发布肖特基二极管白皮书，助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗！

近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中，中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路，而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统等各种电路和领域中，半导体厂商罗姆在这些领域中已经拥有骄人业绩（图1）。

该系列的V_F最低，在主要用于正向电路中的损耗可大幅降低，非常适用于智能手机等使用电池低电压驱动的移动设备中的整流应用。

目标应用：笔记本电脑、移动设备等

该系列为通用型产品，与相同尺寸的罗姆以往产品相比，V_F特性降低约25%。在车载应用中，正向损耗非常少，因此作为要求更高效率的汽车信息娱乐系统和车载LED灯等的保护二极管，非常受欢迎。2021年8月，封装阵容中又新增了车载用超小型PMDE封装，可满足市场对更小封装的需求。

目标应用：车载信息娱乐系统、车载LED灯、车载ECU、笔记本电脑等

该系列利用罗姆自有的势垒形成技术，在V_F特性与I_R特性之间取得了良好的平衡。与罗姆以往产品相比，其反向功率损耗降低了60%，因此可以降低热失控风险，非常适用于需要在高温环境下运行的引擎ECU整流应用、高输出功率LED前照灯的保护应用、以及大电流工业设备电源等应用。

目标应用：xEV、引擎ECU、高输出功率LED前照灯、工业设备电源等

该系列产品具有超低I_R，可以降低热失控风险，非常适用于需要在高温环境下运行的xEV电池和电机相关ECU、以及燃油车引擎ECU和变速箱ECU等的整流应用。该系列支持耐压高达200V，可以替换通常在这个耐压范围使用的整流二极管和快速恢复二极管，并可以大幅降低V_F（与FRD相比，降低约11%），还有助于降低上述车载应用中的功耗。

目标应用：xEV电池管理系统、引擎ECU、工业设备逆变器等

RBLQ系列和RLQ系列采用罗姆自有的沟槽MOS结构，与耐压和耐受电流同等的以往产品相比，V_F降低了约15%，可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗。此外，与以往的平面结构产品相比，I_R也降低了约60%，这可以大大降低SBD最让人担心的热失控风险，从而使产品也可以用在温度条件等非常严苛的车载应用中（图6)。

在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构差。而RBLQ系列和RLQ系列新产品不仅降低了V_F和I_R，而且还利用自有技术，通过优化材料，实现了与平面结构同等的trr特性。例如，从图7中可以看到使用LED前照灯评估板进行装机评估时的开关损耗比较情况。在开关过程中，因V_F和trr引起的损耗比例比较高，但RBLQ系列和RLQ系列的trr损耗降低了约37%，V_F也同时降低，因此开关总损耗降低达26%，这将有助于降低车载LED前照灯驱动电路、以及xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用产品功耗。