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G极(gate)—栅极,不用说比较好认
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边
箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道
不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:
要么都由S指向D,要么都有D指向S
1>信号切换
2>电压通断
关键点:
确定那一极连接输入端,那一极连接输出端
控制极电平为?V 时MOS管导通
控制极电平为?V 时MOS管截止
NMOS:D极接输入,S极接输出
PMOS:S极接输入,D极接输出
反证法加强理解
NMOS假如:S接输入,D接输出
由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用
PMOS假如:D接输入,S接输出
同样失去了开关的作用
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|
BJT
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;
FET
Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件.
按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
封装
类型(NMOS、PMOS)
耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)
饱和电流Id
导通阻抗Rds
栅极阈值电压Vgs(th)
无论是NMOS还是PMOS
按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。
或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。
管脚编号
从G脚开始,逆时针123
三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。
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