数亿元/25万片!国内最大GaN基地将投产

原创 第三代半导体风向 2022-11-07 18:18

最近,氮化镓外延领域也传来2个好消息:

  • 晶湛半导体:融资数亿元建设的总部大楼正式封顶,号称将打造国内最大GaN外延片的生产基地;

  • 宏光半导体:已经开始生产6英寸GaN功率器件外延片,预计明年Q2开始芯片试产。

晶湛半导体
总部大楼封顶
11月5日,苏州纳米城发布消息称,晶湛半导体总部大楼正式封顶。预计完全建成后,将成为国内规模最大的GaN电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。

报道称,晶湛半导体总部大楼于2021年12月开工建设,厂房占地面积约为1.1万平方米,总建筑面积约2.3万平方米。

今年3月,晶湛半导体还融资数亿元,资金用于建设公司总部和研发中心。近两年,晶湛半导体也在持续扩产,合计产能将高达25万片
  • 2021年12月,晶湛半导体拟投资2.8亿元扩建氮化镓外延片生产项目,计划生产6英寸和8英寸氮化镓外延片,年产能预计达24万片,目前该项目已于2021年11月开工建设,预计2023年2月完成建筑施工。

  • 2022年4月,晶湛半导体氮化镓外延片年产新增10000片环评进行第一次公示。根据公告,晶湛半导体计划扩建氮化镓外延片,预计投产后将年新增氮化镓外延片1万片

公开资料显示,2014年,晶湛在全球首次发布商用8英寸GaN-on-Si HV HEMT外延片产品;2021年6月,研发出击穿电压超过10kV的GaN器件;2021年9月,成功全球首发12英寸、1200V的硅基GaN外延片。

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宏光半导体
已开始生产6英寸外延片
11月1日,宏光半导体发布公告称,他们已经开始生产6英寸GaN功率器件外延片,预计2023年Q2将开始芯片试产,并于2024年初前开始投产。

据了解,宏光半导体主要于中国从事设计、开发、制造、分包服务及销售半导体产品,包括发光二极管(LED)灯珠、GaN芯片、GaN器件及其相关应用产品以及快速电池充电产品。
今年9月,宏光半导体与具有“新能源之王”等称呼的协鑫科技创办人朱共山正式签订股份及认股权证认购协议,这标志着朱共山成为宏光半导体主要战略股东。同时,他们还与协鑫集团正式签订了战略合作框架协议,拟于GaN功率芯片新能源领域的应用开展密切合作,全速推进在GaN产业链上的布局(.点这里.)。

插播:12月15日,行家说将在深圳举办“全球第三代半导体产业发展高峰论坛”,了解更多有关氮化镓等前沿技术话题,可以扫描下方二维码:

同时,本次年会现场还将举办“行家极光奖颁奖典礼”,目前相关奖项正在申报当中,“十强榜单”、“年度企业”、“年度产品”等重磅奖项将花落谁家?2022年12月即将揭晓,详情扫描下方二维码⬇⬇⬇

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