瓷片电容的制作全过程

在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不可少的，希望大家不忘初心，怀有一颗敬畏之心，做出更好的产品！

2分41秒的视频，介绍瓷片电容(MLCC)的制作全过程。

建议全屏观看嗷！反正我观影感觉--很美！

当然，光看视频可能还不够清晰，我们把制作流程细化分解如下：

1、配料和浆：将陶瓷粉和粘合剂及溶剂等按一定比例经过球磨一定时间，形成陶瓷浆料。

2、流延：将陶瓷浆料通过流延机的浇注口，使其涂布在绕行的PET膜上，从而形成一层均匀的浆料薄层，再通过热风区（将浆料中绝大部分溶剂挥发），经干燥后可得到陶瓷膜片，一般膜片的厚度在10um-30um之间。

3、印刷：按照工艺要求，通过丝网印版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上。

4、叠层：把印刷有内电极的陶瓷膜片按设计的错位要求，叠压在一起，使之形成MLCC的巴块（Bar）。

5、制盖：制作电容器的上下保护片。叠层时，底和顶面加上陶瓷保护片，以增加机械强度和提高绝缘性能。

6、层压：叠层好的巴块（Bar），用层压袋将巴块（Bar）装好，抽真空包封后，用等静压方式加压使巴块（Bar）中的层与层之间结合更加紧密，严实。

7、切割：层压好的巴块（Bar）切割成独立的电容器生坯。

8、排胶：将电容器生坯放置在承烧板上，按一定的温度曲线（最高温度一般在400℃左右），经高温烘烤，去除芯片中的粘合剂等有机物质。排胶作用：1）排除芯片中的粘合剂有机物质，以避免烧成时有机物质的快速挥发造成产品分层与开裂，以保证烧出具有所需形状的完好的瓷件。2）消除粘合剂在烧成时的还原作用。

9、烧结：排胶完成的芯片进行高温处理，一般烧结温度在1140℃~1340℃之间，使其成为具有高机械强度，优良的电气性能的陶瓷体的工艺过程。

10、倒角：烧结成瓷的电容器与水和磨介装在倒角罐，通过球磨、行星磨等方式运动，使之形成光洁的表面，以保证产品的内电极充分暴露，保证内外电极的连接。

11、端接：将端浆涂覆在经倒角处理的芯片外露内部电极的两端上，将同侧内部电极连接起来，形成外部电极。

12、烧端：端接后产品经过低温烧结后才能确保内外电极的连接。并使端头与瓷体具有一定的结合强度。

13、端头处理：表面处理过程是一种电沉积过程，它是指电解液中的金属离子（或络合离子）在直流电作用下，在阴极表面还原成金属（或合金）的过程。电容一般是在端头（Ag端头或Cu端头）上镀一层镍后，再镀层锡。

14、外观挑选：借助放大镜或显微镜将具有表面缺陷的产品挑选出来。

15、测试：对电容产品电性能方面进行测试：容量、损耗、绝缘、电阻、耐压进行100%测量分档，把不良品剔除。

16、编带：将电容按照尺寸大小及数量要求包装在纸带或塑料袋内。

再后面就是SMT贴片焊接到PCB板上……

推荐阅读：点击标题阅读

      点亮“在看”，小编工资涨1毛！