面包芯语

三星内存eMCP、UMCP、eMMC、LPDDR、DDR型号参数对照表

原创 芯存社 2022-10-09 17:36
百万设备≠唯一解！精密测量成本砍半秘籍 多物理场仿真在半导体制程中的应用


一文看懂NAND、eMMC、UFS、eMCP、uMCP、DDR、LPDDR及存储器和内存区别


Samsung  eMCP UMCP
料号容量版本DRAM容量DRAM类型封装速率生产状态
KM2F8001CM-B707256GBUFS2.148GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM2P8001CM-B51864GBUFS2.148GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsSample
KM3P6001CM-B51764GBeMMC48GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsSample
KM5C7001DM-B62264GBUFS2.132GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM5H80018M-B42464GBUFS2.124GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM5P8001DM-B42464GBUFS2.132GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsSample
KM8F8001JA-B813256GBUFS2.164GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM8F8001JM-B813256GBUFS2.164GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM8F8001LM-B813256GBUFS2.180GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM8V8001LM-B813128GBUFS2.180GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KMAG9001PM-B814128GBUFS3.164GbLPDDR5297FBGA6400MbpsSample
KMAS9001PM-BC02256GBUFS3.164GbLPDDR5297FBGA6400MbpsSample
KMDP6001DA-B42564GBeMMC5.132GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM5V8001DM-B622128GBUFS2.132GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM8F8001MM-B813256GBUFS2.196GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KMDX60018M-B42532GBeMMC5.124GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KMFE60012A-B21416GBeMMC5.18GbLPDDR3221FBGA1866MbpsMassProduction
KM4X6001KM-B32132GBeMMC5.116GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KM8V8001JM-B813128GBUFS2.164GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KMDP60018M-B42564GBeMMC5.124GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KMFN60012B-B2148GBeMMC5.18GbLPDDR3221FBGA1866MbpsMassProduction
KMGX6001BA-B51432GBeMMC5.124GbLPDDR3221FBGA1866MbpsMassProduction
KMQE60013B-B31816GBeMMC5.116GbLPDDR3221FBGA1866MbpsMassProduction
KM2V8001CM-B707128GBUFS2.148GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProduction
KMGP6001BA-B51432GBeMMC5.116GbLPDDR3221FBGA1866MbpsMassProduction
KMQX60013A-B41932GBeMMC5.116GbLPDDR3221FBGA1866MbpsMassProduction
Samsung  EMMC
料号版本容量工作电压接口封装尺寸工作温度生产状态
KLMCG2UCTB-B041eMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLMDG4UCTB-B041eMMC5.1128GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLM4G1FETE-B041eMMC5.14GB1.8,3.3V/3.3VHS40011x10x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLM8G1GEUF-B04PeMMC5.18GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~85°CMassProduction
KLM8G1GEUF-B04QeMMC5.18GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~105°CMassProduction
KLMAG2GEUF-B04PeMMC5.116GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~85°CMassProduction
KLMAG2GEUF-B04QeMMC5.116GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~105°CMassProduction
KLMBG4GEUF-B04PeMMC5.132GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~85°CMassProduction
KLMBG4GEUF-B04QeMMC5.132GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~105°CMassProduction
KLMCG2KCTA-B041eMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLMCG2UCTA-B041eMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLMDG4UCTA-B041eMMC5.1128GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLMEG8UCTA-B041eMMC5.1256GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLM8G1GEME-B041eMMC5.18GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CEOL
KLM8G1GEND-B031eMMC5.08GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CEOL
KLM8G1GESD-B03PeMMC5.08GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~85°CMassProduction
KLM8G1GESD-B03QeMMC5.08GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~105°CMassProduction
KLM8G1GESD-B04PeMMC5.18GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~85°CMassProduction
KLM8G1GESD-B04QeMMC5.18GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~105°CMassProduction
KLM8G1GETF-B041eMMC5.18GB1.8,3.3V/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLM8G1WEPD-B031eMMC5.08GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CEOL
KLMAG1JENB-B041eMMC5.116GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CEOL
KLMAG1JETD-B041eMMC5.116GB1.8,3.3V/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLMAG2GEND-B031eMMC5.016GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CEOL
KLMAG2GEND-B041eMMC5.116GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CEOL
KLMAG2GESD-B03PeMMC5.016GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~85°CMassProduction
KLMAG2GESD-B03QeMMC5.016GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~105°CMassProduction
KLMAG2GESD-B04PeMMC5.116GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~85°CMassProduction
KLMAG2GESD-B04QeMMC5.116GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-40~105°CMassProduction
KLMAG2WEPD-B031eMMC5.016GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CEOL
KLMBG2JENB-B041eMMC5.132GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMBG2JETD-B041eMMC5.132GB1.8,3.3V/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLMBG4GEND-B031eMMC5.032GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMBG4GEND-B041eMMC5.132GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMBG4GESD-B03PeMMC5.032GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-40~85°CMassProduction
KLMBG4GESD-B03QeMMC5.032GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-40~105°CMassProduction
KLMBG4GESD-B04PeMMC5.132GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-40~85°CMassProduction
KLMBG4GESD-B04QeMMC5.132GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-40~85°CMassProduction
KLMBG4WEBD-B031eMMC5.032GB1.8/3.3VHS40011.5x13x0.8mm-25~85°CEOL
KLMBG4WERD-B041eMMC5.132GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMCG2KETM-B041eMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMCG4JENB-B041eMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMCG4JETD-B041eMMC5.164GB1.8,3.3V/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLMCG4JEUD-B04PeMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.2mm-40~85°CMassproduction
KLMCG4JEUD-B04QeMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.2mm-40~105°CMassproduction
KLMCG4VERF-B041eMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMCG8GEND-B031eMMC5.064GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMCG8GEND-B041eMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMCG8GESD-B03PeMMC5.064GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-40~85°CMassProduction
KLMCG8GESD-B03QeMMC5.064GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-40~105°CMassProduction
KLMCG8GESD-B04PeMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-40~85°CMassProduction
KLMCG8GESD-B04QeMMC5.164GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-40~105°CMassProduction
KLMCG8WEBD-B031eMMC5.064GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMDG4UERM-B041eMMC5.1128GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMDG8JENB-B041eMMC5.1128GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.2mm-25~85°CEOL
KLMDG8JEUD-B04PeMMC5.1128GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.2mm-40~85°CMassproduction
KLMDG8JEUD-B04QeMMC5.1128GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.2mm-40~105°CMassproduction
KLMDG8VERF-B041eMMC5.1128GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLMDGAWEBD-B031eMMC5.0128GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.4mm-25~85°CEOL
KLMEG8UERM-C041eMMC5.1256GB1.8/3.3VHS40011.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
Samsung  UFS
料号版本容量工作电压接口封装尺寸工作温度生产状态
KLUBG4G1ZF-C0CPUFS2.132GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~95°CMassProduction
KLUBG4G1ZF-C0CQUFS2.132GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUCG4J1ZD-C0CPUFS2.164GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~95°CMassProduction
KLUCG4J1ZD-C0CQUFS2.164GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUDG8J1ZD-C0CPUFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~95°CMassProduction
KLUDG8J1ZD-C0CQUFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUEGAJ1ZD-C0CPUFS2.1256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.72mm-40~95°CMassProduction
KLUEGAJ1ZD-C0CQUFS2.1256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.72mm-40~105°CMassProduction
KLUCG2UHYB-B0EPUFS3.164GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.2mm-40~95°CMassProduction
KLUCG2UHYB-B0EQUFS3.164GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUDG4UHYB-B0EPUFS3.1128GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.2mm-40~95°CMassProduction
KLUDG4UHYB-B0EQUFS3.1128GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUEG8UHYB-B0EPUFS3.1256GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.2mm-40~95°CMassProduction
KLUEG8UHYB-B0EQUFS3.1256GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUFGAUHYB-B0EPUFS3.1512GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.72mm-40~95°CMassProduction
KLUFGAUHYB-B0EQUFS3.1512GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.72mm-40~105°CMassProduction
KLUDG4UHDB-B2E1UFS3.1128GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLUDG4UHDC-B0E1UFS3.1128GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLUEG8UHDB-C2E1UFS3.1256GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUEG8UHDC-B0E1UFS3.1256GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x0.8mm-25~85°CMassProduction
KLUFG8RHDA-B2E1UFS3.1512GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUFG8RHDB-B0E1UFS3.1512GB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUBG4G1CE-B0B1UFS2.032GB1.8/3.3VG31Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLUBG4G1ZF-B0CPUFS2.132GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~85°CMassProduction
KLUBG4G1ZF-B0CQUFS2.132GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUCG2K1EA-B0C1UFS2.164GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUCG2U1YB-B0CPUFS2.164GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~85°CMassProduction
KLUCG2U1YB-B0CQUFS2.164GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUCG4J1BB-B0B1UFS2.064GB1.8/3.3VG22Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLUCG4J1CB-B0B1UFS2.064GB1.8/3.3VG31Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLUCG4J1ED-B0C1UFS2.164GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUCG4J1ZD-B0CPUFS2.164GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~85°CMassProduction
KLUCG4J1ZD-B0CQUFS2.164GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUDG4U1EA-B0C1UFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUDG4U1FB-B0C1UFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUDG4U1YB-B0CPUFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~85°CMassProduction
KLUDG4U1YB-B0CQUFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUDG8J1BB-B0B1UFS2.0128GB1.8/3.3VG22Lane11.5x13x1.2mm-25~85°CEOL
KLUDG8J1CB-B0B1UFS2.0128GB1.8/3.3VG31Lane11.5x13x1.2mm-25~85°CEOL
KLUDG8J1ZD-B0CPUFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~85°CMassProduction
KLUDG8J1ZD-B0CQUFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUDG8V1EE-B0C1UFS2.1128GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLUEG8U1EA-B0C1UFS2.1256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUEG8U1EM-B0B1UFS2.0256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-25~85°CEOL
KLUEG8U1EM-B0C1UFS2.1256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CEOL
KLUEG8U1YB-B0CPUFS2.1256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~85°CMassProduction
KLUEG8U1YB-B0CQUFS2.1256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.2mm-40~105°CMassProduction
KLUEGAJ1ZD-B0CPUFS2.1256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.72mm-40~85°CMassProduction
KLUEGAJ1ZD-B0CQUFS2.1256GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.72mm-40~105°CMassProduction
KLUFG8R1EM-B0C1UFS2.1512GB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.0mm-25~85°CMassProduction
KLUGGAR1FA-B2C1UFS2.11TB1.8/3.3VG32Lane11.5x13x1.4mm-25~85°CMassProduction
KLUGGARHDA-B0D1UFS3.01TB1.2/2.5VG42Lane11.5x13x1.25mm-25~85°CMassProduction
Samsung  LPDDR5X
料号容量架构速率工作电压工作温度封装
K3KL3L30CM-BGCT64Gbx647500Mbps1.8/1.05/0.9/0.5V-25~85°C496FBGA
K3KL3L30CM-JGCT64Gbx647500Mbps1.8/1.05/0.9/0.5V-25~85°C441FBGA
K3KL3L30CM-MGCT64Gbx327500Mbps1.8/1.05/0.9/0.5V-25~85°C315FBGA
K3KL4L40DM-BGCT96Gbx647500Mbps1.8/1.05/0.9/0.5V-25~85°C496FBGA
K3KL5L50CM-BGCT128Gbx647500Mbps1.8/1.05/0.9/0.5V-25~85°C496FBGA
K3KL5L50CM-MGCT128Gbx327500Mbps1.8/1.05/0.9/0.5V-25~85°C315FBGA
K3KL8L80CM-MGCT32Gbx327500Mbps1.8/1.05/0.9/0.5V-25~85°C315FBGA
SamsungLPDDR5
料号容量架构速率工作电压工作温度封装生产状态
K3LK2K20BM-BGCN48Gbx645500Mbps1.8/1.05/0.9/0.5V-25~85°C496FBGASample
Samsung  LPDDR4x
料号架构速率工作电压工作温度封装生产状态
K3UH5H50AM-JGCRx644266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C432FBGASample
K3UH7H70AM-JGCRx644266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C432FBGASample
K4U6E3S4AA-MGCRx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C200FBGASample
K4UBE3D4AA-MGCRx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C200FBGASample
K4UCE3Q4AA-MGCRx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C200FBGASample
K3UH5H50AM-JGCLx644266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C432FBGAMassProduction
K3UH7H70AM-JGCLx644266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C432FBGAMassProduction
K3UHAHA0AM-AGCLx644266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C556FBGAMassProduction
K4U6E3S4AA-MGCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C200FBGAMassProduction
K4UBE3D4AA-MGCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C200FBGAMassProduction
K4UCE3Q4AA-MGCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C200FBGAMassProduction
K4U8E3S4AD-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4U8E3S4AD-GHCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4U8E3S4AD-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~125°C200FBGAMassProduction
K3UH5H50AM-AGCLx644266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C556FBGA批量生产
K3UH6H60BM-AGCLx644266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C556FBGAMassProduction
K3UH7H70AM-AGCLx644266Mbps1.8/1.1/0.6V-25~85°C556FBGAMassProduction
K4U2E3S4AA-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~95°C200FBGAMassProduction
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K4U6E3S4AM-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~95°C200FBGAMassProduction
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K4U6E3S4AM-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4UBE3D4AM-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4UBE3D4AM-GHCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~105°C200FBGASample
K4UBE3D4AM-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4UHE3D4AA-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4UHE3D4AA-GHCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~105°C200FBGASample
K4UHE3D4AA-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/0.6V-40~125°C200FBGAMassProduction
Samsung  LPDDR4

料号架构速率工作电压工作温度封装生产状态
K4F2E3S4HA-TFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F2E3S4HA-THCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4F2E3S4HA-TUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4F6E3S4HM-TFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F6E3S4HM-THCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4F6E3S4HM-TUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4FBE3D4HM-TFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4FBE3D4HM-THCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4FBE3D4HM-TUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4FHE3D4HA-TFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4FHE3D4HA-THCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4FHE3D4HA-TUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4F6E304HB-MGCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-25~85°C200FBGAMassProduction
K4F6E3S4HM-MGCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-25~85°C200FBGAMassProduction
K4F8E3S4HD-MGCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-25~85°C200FBGAMassProduction
K4F8E3S4HD-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F8E3S4HD-GHCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4F8E3S4HD-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4F2E3S4HA-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F2E3S4HA-GHCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4F2E3S4HA-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4F2E3S4HM-MFCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F2E3S4HM-MHCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4F4E3S4HF-GFCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F4E3S4HF-GHCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4F4E3S4HF-GUCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4F6E3D4HB-MFCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F6E3D4HB-MHCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4F6E3S4HM-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F6E3S4HM-GHCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4F6E3S4HM-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4F8E3S4HB-MFCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4F8E3S4HB-MHCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4FBE3D4HM-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4FBE3D4HM-GHCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4FBE3D4HM-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4FHE3D4HA-GFCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4FHE3D4HA-GHCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
K4FHE3D4HA-GUCLx324266Mbps1.8/1.1/1.1V-40~125°C200FBGAMassProduction
K4FHE3D4HM-MFCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~95°C200FBGAMassProduction
K4FHE3D4HM-MHCJx323733Mbps1.8/1.1/1.1V-40~105°C200FBGAMassProduction
Samsung  LPDDR3
料号容量架构速率工作电压工作温度封装生产状态
K4E6E304EC-EGCG16Gbx322133Mbps1.8/1.2/1.2V-25~85°C178FBGAMassProduction
K4E8E324EB-EGCG8Gbx322133Mbps1.8/1.2/1.2V-25~85°C178FBGAMassProduction
K4EBE304EC-EGCG32Gbx322133Mbps1.8/1.2/1.2V-25~85°C178FBGAMassProduction
K4E6E304ED-EGCG16Gbx322133Mbps1.8/1.2/1.2V-25~85°C178FBGAMassProduction
K4E8E324ED-EGCG8Gbx322133Mbps1.8/1.2/1.2V-25~85°C178FBGAMassProduction
K4EBE304ED-EGCG32Gbx322133Mbps1.8/1.2/1.2V-25~85°C178FBGAMassProduction
Samsung  DDR2
料号容量架构速率工作电压工作温度封装生产状态
K4T1G083QJ-BI1Gb128Mx81066Mbps1.8V-40~95°C60FBGAMassProduction
K4T1G084QJ1Gb128Mx81066Mbps1.8V0~85°C60FBGAMassProduction
K4T1G163QJ-BI1Gb64Mx161066Mbps1.8V-40~95°C84FBGAMassProduction
K4T1G164QJ1Gb64Mx161066Mbps1.8V0~85°C84FBGAMassProduction
K4T1G164QJ-BFF81Gb64Mx161066Mbps1.8V-40~95°C84FBGASample
K4T1G164QJ-BHF81Gb64Mx161066Mbps1.8V-40~105°C84FBGASample
K4T51083QN512Mb64Mx81066Mbps1.8V0~85°C60FBGAMassProduction
K4T51083QN-BI512Mb64Mx81066Mbps1.8V-40~95°C60FBGAMassProduction
K4T51163QN512Mb32Mx161066Mbps1.8V0~85°C84FBGAMassProduction
K4T51163QN-BFF8512Mb32Mx161066Mbps1.8V-40~95°C84FBGASample
K4T51163QN-BHF8512Mb32Mx161066Mbps1.8V-40~105°C84FBGASample
K4T51163QN-BI512Mb32Mx161066Mbps1.8V-40~95°C84FBGAMassProduction
Samsung  DDR3
料号容量架构速率工作电压工作温度封装生产状态
K4B1G1646I-BYNB1Gb64Mx162133Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BYNB2Gb128Mx162133Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G0846E-YCK04Gb512Mx81600Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846E-YCMA4Gb512Mx81866Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G1646E-YCK04Gb512Mx81600Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646E-YCMA4Gb512Mx81866Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B8G0846D-MMMA8Gb1Gx81866Mbps1.35V-40~95°C78FBGAEOL
K4B8G1646D-MMMA8Gb512Mx161866Mbps1.35V0~85°C96FBGAEOL
K4B1G0846I-BYNB1Gb128Mx82133Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B8G0846D-MCK08Gb1Gx81600Mbps1.5V0~85°C78FBGAEOL
K4B8G0846D-MCMA8Gb1Gx81866Mbps1.5V0~85°C78FBGAEOL
K4B8G0846D-MCNB8Gb1Gx82133Mbps1.5V0~85°C78FBGAEOL
K4B8G0846D-MMK08Gb1Gx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAEOL
K4B8G0846D-MYK08Gb1Gx81600Mbps1.35V0~85°C78FBGAEOL
K4B8G0846D-MYMA8Gb1Gx81866Mbps1.35V0~85°C78FBGAEOL
K4B8G1646D-MCK08Gb512Mx161600Mbps1.5V0~85°C96FBGAEOL
K4B8G1646D-MCMA8Gb512Mx161866Mbps1.5V0~85°C96FBGAEOL
K4B8G1646D-MCNB8Gb512Mx162133Mbps1.5V0~85°C96FBGAEOL
K4B8G1646D-MMK08Gb512Mx161600Mbps1.35V0~85°C96FBGAEOL
K4B8G1646D-MYK08Gb512Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAEOL
K4B8G1646D-MYMA8Gb512Mx161866Mbps1.35V-40~95°C96FBGAEOL
K4B1G0846I-BCK01Gb128Mx81600Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B1G0846I-BCMA1Gb128Mx81866Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B1G0846I-BCNB1Gb128Mx82133Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B1G0846I-BMK01Gb128Mx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B1G0846I-BMMA1Gb128Mx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B1G0846I-BYK01Gb128Mx81600Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B1G0846I-BYMA1Gb128Mx81866Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BCK01Gb64Mx161600Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BCMA1Gb64Mx161866Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BCNB1Gb64Mx162133Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BFMA1Gb64Mx161866Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BHMA1Gb64Mx161866Mbps1.35V-40~105°C96FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BMK01Gb64Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BMMA1Gb64Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BYK01Gb64Mx161600Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B1G1646I-BYMA1Gb64Mx161866Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B2G0846F-BCK02Gb256Mx81600Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B2G0846F-BCMA2Gb256Mx81866Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B2G0846F-BCNB2Gb256Mx82133Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B2G0846F-BMK02Gb256Mx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B2G0846F-BMMA2Gb256Mx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B2G0846F-BYK02Gb256Mx81600Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B2G0846F-BYMA2Gb256Mx81866Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B2G0846F-BYNB2Gb256Mx82133Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BCK02Gb128Mx161600Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BCMA2Gb128Mx161866Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BCNB2Gb128Mx162133Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BFMA2Gb128Mx161866Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BHMA2Gb128Mx161866Mbps1.35V-40~105°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BMK02Gb128Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BMMA2Gb128Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BYK02Gb128Mx161600Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B2G1646F-BYMA2Gb128Mx161866Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BCH94Gb512Mx81333Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BCK04Gb512Mx81600Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BCMA4Gb512Mx81866Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BCNB4Gb512Mx82133Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BMK04Gb512Mx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BMMA4Gb512Mx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BYH94Gb512Mx81333Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BYK04Gb512Mx81600Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BYMA4Gb512Mx81866Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846D-BYNB4Gb512Mx82133Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846E-BCK04Gb512Mx81600Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846E-BCMA4Gb512Mx81866Mbps1.5V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846E-BMK04Gb512Mx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846E-BMMA4Gb512Mx81600Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846E-BYK04Gb512Mx81600Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846E-BYMA4Gb512Mx81866Mbps1.35V0~85°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846R-BFMA4Gb512Mx81866Mbps1.35V-40~95°C78FBGAMassProduction
K4B4G0846R-BHMA4Gb512Mx81866Mbps1.35V-40~105°C78FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BCH94Gb256Mx161333Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BCK04Gb256Mx161600Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BCMA4Gb256Mx161866Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BCNB4Gb256Mx162133Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BFMA4Gb256Mx161866Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BHMA4Gb256Mx161866Mbps1.35V-40~105°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BMK04Gb256Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BMMA4Gb256Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BYH94Gb256Mx161333Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BYK04Gb256Mx161600Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BYMA4Gb256Mx161866Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646D-BYNB4Gb256Mx162133Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646E-BCK04Gb512Mx81600Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646E-BCMA4Gb512Mx81866Mbps1.5V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646E-BMK04Gb256Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646E-BMMA4Gb256Mx161600Mbps1.35V-40~95°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646E-BYK04Gb512Mx81600Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
K4B4G1646E-BYMA4Gb512Mx81866Mbps1.35V0~85°C96FBGAMassProduction
Samsung  DDR4
料号容量架构速率工作电压工作温度封装生产状态
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料号容量架构速率工作电压工作温度封装生产状态
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