报告主题:10 kV SiC MOSFET封装:双面冷却和横向弹簧针端子
报告作者:Mark Cairnie
报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)
中压 SiC 的新兴应用
中压碳化硅封装的挑战
目标:开发高密度、10 kV SiC MOSFET 封装
封装结构
双面散热结构
钼互连的优点
横向弹簧针接口
热阻测量
开关结果
总结
报告详细内容
来源:芯TIP