ISO26262中的失效率计算示例

本文依据IEC TR 62380中集成电路的可靠性预测数学模型，对ISO 26262-11:2018中的案例进行推算，方便读者对这一预测模型的了解；本文为IEC TR 62380介绍的上半部分，着重介绍IC Die失效率的三种计算方法，希望为功能安全硬件开发人员提供一定的帮助。

IEC TR 62380《电子组件、PCBs和设备的可靠性预计通用模型》是涵盖电路、半导体分立器件、光电组件、电阻器、电容器、压电组件、显示器、开关等等电子元器件的可靠性预计模型，模型中包含了环境系数以及材料、工艺和结构等因素相关的系数。并将mission profile 温度变化的影响放入模型中予以考虑。

ISO 26262-11:2018在进行失效率分析也推荐使用这一标准，本文将通过ISO 26262中的例子来介绍这一预测模型。

1.IEC TR 62380中可靠性预测的计算

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2.ISO 26262中的λ_die计算

IEC TR 62380中的计算例子针对的是单一类型电路的计算，对芯片来说是远远不够的，如何考虑包含2种及以上的电路类型的情况呢？

λ₁表示的每个晶体管的失效率，只有电路类型有关；而λ₂的值不受晶体管数量的影响，是使用的工艺相关的参数，一般在较大规模的芯片芯片产品可靠性计算时，λ₂只参与一次计算，每种电路都有专门的λ₂，在计算包含多种类型电路的芯片λ_2,base时面临如何正确处理λ₂的问题；因此在ISO 26262-11中基于IEC TR 62380提出了3个包含多种电路类型的情况的λ_die计算方法。

加权平均法：指的是根据每种电路的等效晶体管数量，通过加权平均的方式来计算对应的base失效率，计算模型参考ISO 26262-11:Equation (1)：主要分成2部分，公式的左边是不同的电路类型的基础失效，后边为集成电路在任务剖面（Mission profile）下的影响系数（受工作温度及对应的时间占比影响）。

图3 加权平均法的计算模型

已知一个CMOS的MCU、冷却方式为自然对流、温度剖面为“motor control”、结温温升26.27 C、PQFP 144引脚封装、包含50k CPU和16kB SRAM；参考ISO 26262-11及相关内容描述。

λ₁和λ₂的选取

根据输入的CPU、SRAM电路类型，查询ISO 26262-11:Figure 10；即下图，相应的参数选择已标注：

图4 λ_1/2的参数选择

表2 λ_1/2的选值和晶体管的数量

λ_base失效率的计算

λ_{base的数学模型如下：}

图5 λ_base的数学模型

代入CPU\SARM的的选值和晶体管的数量，得：

表3

温度De-rating系数的计算

温度De-rating系数用来评估工作环境温度对组件Die失效率的影响大小，在这里由于篇幅问题，就不做详细计算，直接引用Per calendar hour计算结果0.17，计算过程见之后的文章：《Mission profile的使用》。

λ_die的计算

将基础失效率和温度De-rating系数代入：

表4

保守法：指的是选取电路类型中最大的值以及最大温度De-rating系数计算λ₂对应的base失效率，计算模型参考ISO 26262-11:Equation (2)：

图6 保守法的计算模型

例1

参考ISO 26262-11:Table 3，这个例子没有进行详细的分步计算，表格中已经列出了各个阶段的结果值，供读者理解保守法的计算模型：

图7 ISO 26262 Part11:Table 3

计算过程如下：

经过上面的计算我们知道Base失效率要乘以温度De-rating系数才能得到最终的实际有效结果，在例1中选取了最大的λ₂和温度De-rating系数0.17进行计算；但是如果电路的温度De-rating系数不相同呢？ISO 26262-11：Table 4及计算过程给出了答案。

例2

参考ISO 26262-11：Table 4；输入条件如下：

➡ Mission profile仍然是“Motor Control”；

➡ 生产年份是2018年，因此 α 的值为20；

Step 1: λ₁和λ₂的选取

ISO 26262-11：Table 4中直接列出了3种element对应的和，因此不需要查表。

图8 ISO 26262 Part11:Table 4

Step 2：温度De-rating系数的计算

罗列计算温度De-rating系数所需的参数，Mission profile:“Motor Control”

表5

这里需要注意的是：由于element 3是的类型是linear circuits HV，包含2种技术结构，所以这个例子使用的π_t计算模型有2个。

图9 π_t的计算模型选择

将上表中的参数、计算模型代入温度De-rating系数的计算公式中去，得：

表6

Step 3：失效率的计算

将step 1、2中的参数代入到下面的计算公式中，得：

表7

一体法

一体法是将芯片作为一个整体去考虑、不在区分内部电路类型，不用根据电路类型选取参数、也不用考虑不同电路晶体管数量和使用的技术的影响；由于只有一种类型电路，计算模型可以直接参考IEC TR 62380介绍的标准模型。

图10 一体的计算模型

输入参数（参考ISO 26262-11:Table 5）

图11 参考ISO 26262-11:Table 5

输入参数和参数的选择与加权平均法的例子基本保持一致，后续的计算过程也不在进行详细介绍；其中主要区别在于将CPU和SRAM当作整体考虑时电路类型选择的是”Micros”，相应的λ₁和λ₂的选取如下：

图12

据说Infineon的TC系列MCU所使用就是将MCU作为一个整体来选取参数，希望有专家能提供一下一些参数，可以尝试推算一下其FMEDA里的参数。

3.三种方法的结果对比

以（50k gate CPU、16kB SRAM）为例来对比，加权平均法和一体法都使用了这一例子，直接代入计算结果，计算过程可以见2.2.1和2.2.3章节；针对保守法计算结果如下：

将3种方法的结果列入表中进行对比：

λdie三种计算方法的总结：

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