话说我们公司的业务部门曾经代表工程部门接下一个挑战：他们承诺某个客户，表示我们能够修理好一套电信产品，但其实那种东西我们以前从没见过，所以也没有测试工具，更别说它的架构图了（原厂也已经停止支持该产品）。
无奈之下，工程部门只好再一次使出浑身解数，力求达成使命；于是我的办公室出现了大约15片可热插拔背板的板子，准备进行初步评估并探索其内部运作。这些板子包含专有的SIMM直插式内存模块，其中有几个竟然已经坏了，暂时用其它板卡上有明显烟熏损伤的内存模块来替代。我们把它们平放在工作台上，接上电源，成功让它们起死回生了(但是我们没有测试机箱可用！)。开机后它们能通过RS232端口进行通信。
那些内存模块内包含4颗SRAM以及4颗闪存，每颗存储器芯片分享一条8位宽的数据总线，每一对SRAM能与所选择的相同芯片一起工作。我跟老板说，我们可以专门为待测内存模块做一个小型测试夹具，进行SRAM测试，或是在有必要时重新编程闪存。
于是坐在距我三格座位之远的一个数字/软件工程师同事，被指定跟我一起完成这个任务。他之前设计过一款使用表面贴装 PIC微控制器的PCB，能用来作为我们目前或未来所需测试夹具的通用I/O。想不到它刚好有足够的I/O线路能处理待测内存模块的地址与数据总线，而且只要我将4个独立的待测数据总线在夹具上两两成对绑起来，就还会有两条备用线路，因此我们决定就用它了。
我订购了必要的SIMM连接器，一块电镀通孔面包板(plated-through-hole protoboard)，还有一些带状电缆（ribbon cable）以及IDC插座来连接PIC电路板。间距为0.05英寸的72接脚SIMM连接器有点恼人，因为面包板必须要拥有相同的间距；其微小的0.025英寸直径小孔无法容纳0.025平方英寸的针脚，所以无法进行绕线(现在我知道谚语“Can’t fit a square peg into a round hole——格格不入”的由来了！)。
我必须直接把带状电缆焊在面包板上，并串连一条短的30AWG线到SIMM连接器。只要保证绞缠的带状电线没有镀锡过度(overly tinned，镀锡是为了让线路能绞在一起)，它们实际上能刚好穿过面包板的孔洞。
另一个恼人的状况是SIMM连接器有塑胶做的固定片(retaining tab)，会因为内存模块的重复插入而快速穿出。制造商的这样设计可能是因为通常SIMM只会在产品生命周期中替换一次，但我们是为了要测试内存模块，得重复插拔。
幸运的是，因为预料到最后会需要方便替换，我为SIMM连接器在面包板上使用了插座式接脚条(socket pin strip)。随后我发现一个有金属固定片的连接器，供应商的在线元器件说明中并没有显示这种特殊规格，所以我得从众多机械图片中自己去找。
夹具的第一次测试很顺利，我同事编写了一套walking-ones存储器测试程序，能立即在数个待测电路板上发现损坏的SRAM芯片，我们将之替换然后重新启动，但一直出现令人不安的“RAM损坏”提示信息。因为可用性，我们用12ns的SRAM取代原本20 ns规格SRAM，速度应该不是问题….嗯…所以可能我们需要改进测试算法。
然后我们鼓起勇气，从正常内存模块的闪存上复制了大约五个不同版本的固件，并尝试把新固件重写入模块中。一开始完成了半开机(semi-booted)，却显示“缺少应用程序载入(application loader)”的提示信息。而重载固件之后，我们甚至无法通过RS232端口与之通信，“看起来正常”的固件加载莫名其妙地搞砸了一切。而且我同事确认过，在正常模块与故障模块中的固件是一模一样的，那为何一个能开机一个不能？是速度问题吗？
我同事继续写他的程序，并进行了walking-zeros测试。但另一件奇怪的事发生了，在数个我们认为正常的内存模块上，数据总线绑在一起的两颗SRAM发生了同样的故障——当写入7F代码，回读出来的却是FF；而且只有一对SRAM发生这种故障，另外一对SRAM一直都是正常工作。
难道是我连错了夹具上的线吗？我们用示波器测试，结果证实还真的是这样，当我同事写入7F代码，待测SRAM与夹具传回的信息也是一样，显然他的PIC微控制器把明确的逻辑0读成了逻辑1，但只在该数据总线的第7位上。不过walking one测试成功了，第7位在测试中被正确读取为逻辑0。
因为我对我同事的PCB布线以及PIC芯片不熟，我请他把他的KiCAD板布线文件发给我。我已经知道那里没有电源/接地平面(power/ground plane)，却没料到看见了部分接地引脚连接迂回进出，而它们本应全部集结在PIC芯片之下。
他部分的Vdd连接甚至没有连到Vdd覆铜上，而是依赖芯片内的连接；他的耦合电容相距1英寸远，增加了2英寸的走线电感(trace inductance)；我在这里嗅到了模拟问题，可能是由电源绕线引起的。要找出导致某个问题的“元凶”，有个方法就是消灭它，于是我用了一个以前成功过的方法，就是添加电源平面以及更多的去耦，以下的图片是我们找一位焊接专家所完成的作品：
两个方块是单面覆铜的迷你电源平面，其末端的去耦0805芯片电容尺寸与AC耦合的电源平面相当；PIC微控制器这下子不能抱怨电源蚀刻走线不好，所有的电源与接地引脚现在都结合在一起了。
很遗憾，我的方法没有成功，不过也去除了电源的嫌疑；我仍觉得是模拟问题。我们做了一些测试，想看看是否是其它字节模式(byte patterns)导致第7位在实际上是0时被错误读取为1，我的怀疑被进一步证实了。原来确实有很多模式会这样，如果仅有3个低阶位(lower-order bit)是代表1，PIC芯片会在第7位实际上是0的时候把它读成1。这对低阶位来说似乎无关紧要，只会让3个以上的集(set)变成1；但如果累积足够数量，它们似乎会渗入第7位。这岂不是模拟电压总和(analog voltage summation)？
这让我茅塞顿开；我同事的PIC微控制器以3.3V工作，我的内存模块则是以5V电源启动；我同事之前跟我保证过，他的PIC输入能够耐受5V电压，规格表上也是这么写的。我仔细阅读了规格表，第一页就写着“输入能够容许的最大电压为5.5V(仅数字接脚)”，因此如果输入是被配置为数字方式，应该就是5V耐受值，没错吧？
而在规格表中的某一页又写得更详细：所有输入能被配置为模拟或数字方式，并非可达5V耐受值；它们有最高到3.3V Vdd的钳位二极管(clamp diode)。所有问题数据总线的8个位，以及其它数据总线中的1个位都是这种输出；因此没错，这是个模拟问题，5V是过度驱动输入电压以及规格表上的缀饰….搞清楚之后我发明了很多新的脏话。
这也解释了我们重写的快闪不再启动的原因，所有我们拷贝的固件映像都变成垃圾；我得把焊枪再次加热，进攻测试夹具，小心翼翼切断带状电缆加入几个具备5V耐受电压的74LVC245总线收发器。而我的PIC微控制器知识以及骂脏话的功力也在过程中精进不少。
解决问题之后，我们就能辨识损坏的SRAM元件并重写损坏的闪存；在存储器重写之后，“RAM损坏”的信息被“RAM良好”取代，先前可能是闪存记录了过去的SRAM故障状态。两个工程师，一个擅长数字一个擅长模拟，我们最后成功地完成了任务！
