日前紫光国芯的DDR4内存条出现在京东商城，包括台式机、笔记本两种类型，价格方面4GB 129元、8GB 219元，但不清楚内存芯片是否为紫光自产。
其实今年2月底，长鑫存储官网就开始公开销售自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片，官方还强调是第一颗国产的DDR4内存芯片，但因为主要主要面向行业客户，没有公开报价。
现在，主打性价比的内存品牌光威(Gloway)迈出了历史性的一步，官方网站新上架了羿PRO系列内存，赫然采用长鑫DDR4内存芯片！
根据介绍，光威羿PRO系列内存单条容量8GB、16GB，频率3000MHz，电压1.35V，时序16-18-18-38，属于市面上非常主流和普及的规格，而且是无散热马甲的裸条，芯片表面清晰可见“CXMT”(长鑫存储)的标识。
相比于长鑫存储公布的规格，这显然是一个超频版，原来只有单条8GB，频率2666MHz，电压1.2V。
可惜的是，光威官网虽然给出了“加入购物车”的选项，但目前暂时无法购买，也没有具体价格。
据长鑫官方介绍，其DDR4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障，工作温度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA两种封装样式。
根据此前消息，这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造，预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。
DDR4内存条也是长鑫自主开发设计，搭载原厂颗粒，种类齐全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型，容量均为单条8GB，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃。
LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2GB、4GB，频率3733MHz，电压1.8V、1.1V、0.6V，工作温度-30℃至85℃，200ball FBGA封装。
目前，长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询，相信它们很快就会出现在市面上。
长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，总投资1500亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。
去年9月份，长鑫正式量产国产10nm级（10nm~19nm）DDR4内存芯片（8Gb），据业内最新消息，长鑫的这款19nm晶圆芯片的产能将在本季度末从2万片/月提高到4万片/月。
不仅如此，长鑫的17nm工艺芯片如期推进，年底前将大规模量产。
长鑫目前拥有一座12英寸晶圆厂，总产能12万片/月。
同时，长鑫已经在规划后续的内存新品及工艺了，预计还会有10G3、10G5工艺，目前具体水平不确定，大概率会是1X、1Y、1Znm工艺的演进，相当于16-19、14-16、12-14的水平，具体看长鑫的能力。
产品方面，除了目前的DDR4、LPDDR4之外，未来还会有DDR5、LPDDR5、GDDR6等，覆盖桌面、移动及图形三大市场，产品线齐全。
而就在去年底，长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可，而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
日前长鑫又宣布与美国Rambus（中文名蓝铂世）达成协议，获得了后者的DRAM技术授权，不过具体的合作内容及授权费用没有公布，两边对此合作倒是都很满意。
长鑫存储董事长兼CEO朱一明表示：“与蓝铂世达成的协议再次表明，长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则，持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累，并以此为基础实现可持续发展，稳步提升市场竞争力。”
