来源:芯TIP
报告主题:从MOSFET到MISHEMT的演变
报告作者:Amitava DasGupta
报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)
我们如何在电路中获得高速度?
MOSFETs
-我们怎样才能获得更高的速度?
-局限性
砷化镓MESFETs
-优点和局限性
HEMTs
-为什么是HEMT?
-AlGaAs/GaAs vs pseudomorphic vs GaN
-技术
-建模
报告详细内容
Dept. of Electrical Engg.
IIT Madras