5GAiP天线工艺技术之FOWLP

电子万花筒 2022-08-29 08:23 1700浏览 0评论 0点赞

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高频率造成天线有源化趋势，手机侧的AiP天线应运而生

与2G/3G/4G移动网络相比，5G网络将在更高的频段C-Band（3.7-4.2GHz）和毫米波（24.25GHz-52.6GHz）上部署，而更高频率的信号就意味着更大的馈线损耗，根据硕贝德测算，传统4G手机射频前端的馈线损耗只有1dB不到，但是在毫米波频段线损在2-4dB。

因此，5G时代将天线与射频前端进一步集成就成为大势所趋，而这一集成趋势在宏基站侧就体现为基于Massive MIMO的AAU，在室分基站侧就体现为由DAS向数字化室分的演进，在手机侧就体现为AiP（Antenna in Package）天线的诞生。所谓AiP天线是基于封装材料与工艺，将天线与芯片集成在封装内，实现系统级无线功能的技术。AiP技术顺应了硅基半导体工艺集成度提高的趋势，兼顾了天线性能、成本及体积，代表着近年来天线技术的重大成就及5G毫米波频段终端天线的技术升级方向。

FOWLP有望成为AiP天线的主流技术工艺

尽管目前AiP的实现工艺主要有LTCC（低温共烧结陶瓷）、HDI（高密度互联）及FOWLP（晶圆级扇出式封装）三种，但是我们认为，基于更高的集成度、更好的散热性、更低的传输损耗等优势，结合目前的产业化进度，FOWLP有望成为AiP天线的主流技术工艺。

FOWLP是fan-out Wafer Level Package的缩写，其中WLP（晶圆级封装）是以BGA（Ball Grid Array）技术为基础，以wafer为加工对象，在wafer上同时对众多芯片进行封装测试，最后切割成单个器件，可直接贴装到基板或者PCB板上的封装方案。WLP由于不需要中介层（interposer）、填充物（underfill）与导线架，并且省略黏晶、打线等制程，因此能够大幅减少材料及人工成本，此外，WLP大多采用RDL（重布线层）与Bumping（凸块）技术作为I/O排线手段，因此具有较小的封装尺寸和较佳电性表现等优势，多应用于注重轻薄、节能的3C芯片中。

WLP可分为fan-in（标准型扇入式）及fan-out（扩散性扇出式）两种，其中fan-in是在wafer未进行切片前对wafer进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片尺寸接近。而fan-out则是基于wafer重构技术，将芯片重新布局到一块人工晶圆上，然后按照与标准的WLP工艺类似的步骤进行封装，封装面积大于芯片面积。传统的WLP封装多采用fan-in形态，应用于pin（引脚）数量较少的IC芯片，伴随着IC引脚数目的增加，对锡球间距的要求日趋严格，加上PCB排线对于IC封装后尺寸以及引脚位置的调整要求，因此衍生出fan-out。

FOWLP的具体实现步骤如下图所示，第一步需要完成晶圆的制备及切割，即将晶圆放入划片胶带中，切割成各个单元，与此同时准备洁净处理后的金属载板；第二步将芯片从晶圆拾取并排布在金属载板上；第三步以模塑料（molding compound）密封载板完成制模；第四步从载板上移走已经成型的重建芯片；第五步在重分布层（RDL）上配置I/O连接；第六步在I/O连接口形成铜凸块；最后对已成型的塑封体进行切割。

由于FOWLP是从裸晶端点拉出所需电路到RDL层进而形成封装，因此在最终的产品形态中不存在封装载板，可以减少成本并降低芯片厚度，此外，由于RDL层有助于缩短互联电路的长度，可有效降低高频信号的传输损耗。

苹果A10处理器是FOWLP工艺大范围推广的催化剂

2009-2010年间Intel Mobile率先推动FOWLP在手机基带芯片的单芯片封装过程中得到应用。2014年台积电宣布其inFOWLP（integrated fan-out）进入量产准备，可实现封装厚度250um，RDL间距10um，从具体应用而言，台积电8mm x 8mm平台可用于射频和无线芯片的封装，15mm x 15mm可用于应用处理器和基带芯片封装，而更大尺寸如25mm x 25mm可用于图形处理器和网络等应用的芯片封装。

在台积电inFOWLP工艺中，铜互连形成在铝PAD上，应用于扇出型区域以制造出高性能的无源器件如电感和电容。以3.3nH的电感为例，根据麦姆斯咨询数据，65nm的CMOS采用on-chip封装其品质因子Q为12，而InFO封装则可达到峰值42。电感与模塑料越接近，损耗因子越小，Q值越高，由此也印证了如前所述的FOWLP的低传输损耗的优势。

2016年苹果首次在iPhone中采用了基于FOWLP工艺的处理器A10，根据Techinsights数据，由台积电代工的A10处理器基于16nm finFET制程工艺，采用inFO（integrated fan-out）封装工艺，使用了5-5µm、10-10µm和10-10µm三层RDL。在苹果和台积电的合力推动下，设备商Veeco、封装测试供应商Amkor、日月光、星科金朋、晶圆代工厂Global Foundries等均在2016年大力加码FOWLP相关技术、产品布局。

根据Yole数据，在苹果A10、A11处理器的带动下，2015-2017年全球FOWLP市场规模CAGR接近90%，于2018年达到约14亿美金规模，面对渐行渐近的5G时代，在高通、三星、华为海思等玩家陆续进入的过程中，FOWLP全球总产值有望在2022年超过23亿美金，2019-2022年间的CAGR接近20%。

硕贝德联合中芯长电已成功发布了基于inFO的AiP天线产品

19年3月19日中芯长电在CSTIC发布了世界首个超宽频双极化的5G毫米波AiP天线，该产品采用了基于FOWLP封装SmartAiP工艺技术，该工艺能够帮助客户实现24GHz-43GHz超宽频信号收发、达到12.5dB的超高天线增益、以及适合智能手机终端对超薄厚度要求等优势，并且有进一步实现射频前端模组集成封装的能力。

根据中芯长电讯，该工艺方案与领先的天线方案提供商硕贝德合作，现已获得中国和美国专利授权，可通过超高的垂直铜柱互连提供更强的三维集成功能，加上中芯长电成熟的多层双面RDL技术，结合晶圆级精准的多层天线结构、芯片倒装及表面被动组件,使得SmartAiP实现了5G天线与射频前端芯片模块化和微型化的高度集成加工。