一文搞懂GaN功率晶体管的可靠性

来源：芯TIP

报告主题：一文搞懂GaN功率晶体管的可靠性

报告作者：Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, and Enrico Zanoni

报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）

• GaN 基 HEMT 简介

• 高漏极偏压下的击穿机制

• 寄生（捕获）机制-->可恢复的退化

  • 电流/Ron 崩溃

  • 分析 GaN-HEMT 缺陷的方法

  • GaN 深层次的数据库

• 永久性退化机制

  • 关断状态下的退化-->肖特基栅极

  • FW 偏压下的退化-->p-GaN 栅极

  • FW 偏置下的退化-->MIS 栅极

  • GaN HEMT 的 ESD 失效

• 结论

Reliability of GaN-power transistors: an overview

报告作者：

Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, and Enrico Zanoni