我们知道，三极管是利用Ib的电流去控制电流Ic的，所以说三极管是电流控制电流的器件。
而MOS管是利用Ugs的电压去控制电流Id的，所以说MOS管是电压控制电流的器件。
对于N沟道增强型的MOS管，当Ugs>Ugs(th)时，MOS就会开始导通，如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
在一定的Uds下，D极电流Id的大小是与G极电压Ugs有关的。
我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：截止区、恒流区、可变电阻区。
▲ MOSFET输出特性曲线
截止区
：当满足Ugs<Ugs(th)，MOS管进入截止区。
截止区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。截止区也叫夹断区，在该区时沟道全部夹断，电流Id为0，管子不工作。
恒流区
：当满足Ugs≥Ugs(th)，且Uds≥Ugs-Ugs(th)，MOS管进入恒流区。
恒流区在输出特性曲线中间的位置，
电流Id基本不随Uds变化，Id的大小主要决定于电压Ugs
，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。
注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。
可变电阻区
：当满足Ugs>Ugs(th)，且Uds<Ugs-Ugs(th)，MOS管进入可变电阻区。
可变电阻区在输出特性的最左边，
Id随着Uds的增加而上升，两者基本上是线性关系
，所以可以看作是一个线性电阻，当Ugs不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由Ugs控制的可变电阻。
击穿区在输出特性左边区域，随着Uds增大，PN结承受太大的反向电压而被击穿，工作时应该避免让管子工作在该区域。
根据MOS管的输出特性曲线，比如下图是取Uds=10V的点，然后用作图的方法，可取得到相应的
转移特性曲线
。
转移特性是表示Uds不变时，Id与Ugs之间的关系。
在上图的转移特性曲线上，我们可以看到当Ugs大于4V时，Id大幅度增加，而当Ugs到达5V以上时，Id基本没有什么大变化了。
