Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET可进行顶侧冷却,另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号:25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用于各类特定产品应用,包括同步整流、直流/直流转换、电源、电池管理等。
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