先进光刻技术驱动延展材料和辅材市场发展

提供商业和技术信息的电子材料咨询公司TECHCET近日发布了对光刻扩展和辅材细分市场的最新展望。这些先进的化学制品包括显影剂、抗反射涂料、边胶清洗剂等，预计2022年将增长6%以上，2023年将达约28亿美元的市场。正如TECHCET的新版《光刻材料CMR™》报告中所强调的那样, 随着EUV和KrF光刻技术在半导体行业的应用不断扩大，到2026年，该领域的总市场营收将以超过5%的复合年增长率增长。然而，与光刻材料中使用的含PFAS（全氟和多氟烷基化合物）的化学品相关的环境问题日益严重，可能会对未来的生产造成限制。

随着EUV光刻技术在大批量制造中的应用，1.2亿美元的辅材（有机显影剂、边胶清洗剂和预湿）市场正在经历材料组合的变化。例如，有机显影剂正在成为EUV负光刻剂的首选显影剂。随着额外的图案化水平迁移到EUV，这将减少关键层的193i DUV光刻胶和湿显影剂的消耗。因此，随着有机显影剂使用量的增加，湿显影剂的使用量最终会下降。

从193nm浸入（多图案）过渡将推动晶圆厂的其他变化。例如，可以在不进行边胶清洗的情况下处理负光刻剂。此外，如果广泛采用干法处理的光致抗蚀剂的实施，将不需要显影剂，因为等离子体会去除光刻胶。

延展材料是用于解决光刻胶加工过程中的反射和粘附问题的特殊材料，占据了16亿美元的市场。除了提供光刻胶和辅材的供应商外，该市场还有几家专门专注于底部和顶部抗反射涂层（BARC/TARC）的公司，形成多元局面。硅基BARC层用于高分辨率应用。另一个快速增长的细分市场为KrF BARC，因为该应用从3D NAND闪存工艺制造中不断增长的层数中得到提升。

在过去几年中，对PFAS含有的化学品（包括一些光刻胶和ARC）的关注不断增加。正因为如此，许多芯片公司现在正在寻找替代品，以期减少使用PFAS。尽管许多大型光刻胶和辅材生产公司都有替代产品，但许多终端用户都没有足够的时间来确定可接受的替代方案并进行转换。环境保护局最近发布公告强调区域筛选级别和区域清除管理级别列表中包含的六种PFAS材料（2014年开始，2022年5月更新）。其中包括：六氟环氧丙烷二聚酸及其铵盐（HFPO-DA，有时称为GenX化学品）、全氟辛烷磺酸（PFOS）、全氟辛酸（PFOA）、全氟纳米酸（PFNA）、全氟六烷磺酸（PFHxS）和全氟辛烷磺酸或全氟丁磺酸。特别是，全氟辛烷磺酸和全氟辛烷磺酸是ARC和光刻材料中常见的材料。

TECHCET资深分析师Dan Tracy表示：“对于仅提供辅材和延展材料而非光刻胶的供应商而言，与客户和光刻胶合作伙伴的长期关系是在对更高分辨率技术的需求中找到可接受替代品的关键。”与光刻胶一样，供应商和芯片公司需要共同开发，以完成将替代材料引入现有生产线的过程。我们必须在全力生产以满足芯片需求和为使用这些环保替代品而停止生产线之间找到平衡。