罗姆和意法半导体将于2023年量产8吋SiC（.点这里.），而“行家说三代半”获悉，博世也计划于2023年量产8吋SiC，与此同时，Ⅱ-Ⅵ、LPE等企业也在筹备8吋SiC业务。
我们知道，SiC外延是即将到来的8吋SiC器件的关键工艺步骤之一。据外媒报道，7月21日，即将被收购的LPE和新加坡A*STAR的微电子研究所 (IME) 宣布，他们将合作开发8吋SiC外延工艺，利用LPE在SiC CVD反应器和外延生长方面的专业知识，提高SiC外延生长速率和改善均匀性，并降低致命缺陷密度等。据了解，IME正在建立8吋SiC中试线，而此次与LPE合作是IME建立8吋SiC创新计划的一部分。在此之前，IME还与意法半导体、Soitec合作开发车用SiC半导体器件。● 2021年11月，IME和意法半导体共同宣布，双方将在汽车和工业市场电力电子设备采用碳化硅领域展开研发 (R&D) 合作。● 今年1月，IME和Soitec宣布开展研究合作，旨在利用Soitec的Smart Cut™技术和IME的试验线制造8英寸的SiC半导体。
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目前，几乎所有碳化硅器件都是在外延上实现的，同时外延的质量也受到晶体和衬底加工的影响，所以SiC外延环节对产业链的整体发展起到非常关键的作用。国外方面，爱思强、Epiluvac已经推出了8吋外延炉。●3月14日，Wolfspeed正在向爱思强购买碳化硅外延工具，用于制造8吋的碳化硅MOSFET和肖特基二极管功率器件。●根据2019年Epiluvac披露的《用于宽带隙(WBG)半导体的CVD外延反应器系统》报告，他们的外延炉已经适用于8吋碳化硅和氮化镓。除了衬底和外延设备的改进，还有几项8吋SiC产线相关设备也需要升级，比如离子注入和抛光设备。这方面，应用材料已经推出了相关方面设备。2021年9月，应用材料宣布推出VIISta 900 3D热离子注入系统，能够在注入离子时降低对晶体结构的破坏。与室温注入相比，电阻率降低了40倍以上，从而最大限度地提高发电量和器件良率。而且，Applied还开发了新型8吋Mirra ® Durum™ CMP* 系统，该系统将抛光、材料去除测量、清洁和干燥集成在一个系统中。与机械研磨的 SiC 晶圆相比，新系统的成品晶圆表面粗糙度降低了50倍，与批量CMP处理系统相比，粗糙度降低了3倍。除了上述设备外，您认为8吋SiC产业链是否已经完善？还有哪些环节需要改善？请在下方留言。插播：更多全球GaN产业布局，尽在《2021第三代半导体调研白皮书》，扫码可抢先阅读！
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