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6月30日，三星电子有限公司宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片，是全球首家量产 3 纳米芯片的公司。
与前几代使用 FinFET 的芯片不同，三星使用的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。
三星公司在一份声明中说，与传统的 5 纳米芯片相比，新开发的第一代 3 纳米工艺可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。
三星还称，第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%，性能提高 30%，面积减少 35%。
三星公司没有透露 3 纳米公司的客户身份，分析师表示，预计三星本身和中国虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体将成为最初的客户之一。
据悉，台积电和英特尔分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产 3 纳米芯片。
三星联合首席执行官 Kyung Kye-hyun 今年早些时候说，其代工业务将在中国寻找新的客户，因为从汽车制造商到家电产品制造商的公司都急于确保产能，以解决全球芯片持续短缺的问题，它预计在中国将有高的市场增长。
虽然三星是第一个生产 3 纳米芯片的公司，但台积电正计划在 2025 年实现 2 纳米芯片的批量生产。
分析师说，三星是内存芯片的市场领导者，但其在更多样化的代工业务方面已经被领先者台积电超越，使其难以跟其竞争。
在过去一年左右的时间里，三星与行业领导者竞争的努力也因旧芯片的产量低于预期而受到阻碍。该公司在 3 月份表示，其经营情况已显示出逐步改善。
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