【帝奥微】GAN氮化镓超高功率密度PD快充解决方案——高性能高频QR控制器DIO8352/5

面包板社区 2022-06-30 16:33


DIO8352/5是高性能高频QR反激控制器,应用于当前市场主流GAN氮化镓中大功率高功率密度的PD快充充电器,满足手机、笔记本电脑快充需求。
DIO8352/5内部集成X电容放电和高压启动,具备极低的待机功耗;实现全负载功率范围的多重工作模式优化,以及多重谷底锁定功能加持,工作稳定性和抗噪音性能得到显著提升;支持全负载范围效率优化,最高满载效率可到94.5%,接近ACF的水平;兼容Si MOS驱动技术与GAN氮化镓直驱技术,系统设计可灵活配置。DIO8352/5提供完整的保护机制,满足高可靠性系统设计。DIO8352/5满足高功率密度设计,65W裸板功率密度高达2.3 W/cm3,真正实现超小体积应用。

产品特性:
1. 内置高压启动电路                    
2. 集成 X-CAP 放电功能
3. 谷底锁定降低噪声
4. 轻载时快速频率折叠
5. 轻载时的Skip模式
6. 集成抖频功能
7. 可调最大频率钳位
8. 安全可靠的保护:
  ① 过电流保护(OCP)
  ② 过载保护(OLP)
  ③ 过压保护(OVP)
  ④ 可调过功率保护(OPP)
  ⑤ 短路保护(SCP)
  ⑥ 过温保护(OTP)
9. 兼容外部NTC过温保护(OTP)
10. 集成灰电压保护功能
11. 软启动时间:4ms
12. 封装:SSOP10/SSOP9

DIO8352适配30W-120W应用,支持5V3A9V3A12V3A15V3A20V3.25A固定电压输出,满足能源之星六级能效标准。



(图1)65W 典型系统原理图


   

(图2)DEMO尺寸:长45.5mm,宽25.2mm,高24.5mm


(图3)PCB Layout





(图4)全负载范围效率


(图5)待机功耗


  DIO835X系列内置精准谷底锁定功能,可以根据负载的变化将谷底锁定在1-6个范围内,防止谷底跳变带来频率的跳变产生可闻噪声。

(图6)谷底锁定

  输入230VAC;频率:50HZ;速率:0.5A/us;负载0A~3A,线端测试

(图7)负载瞬态响应


(图8)输出纹波


DIO835X系列采用自主知识产权的交错式抖频技术,可以有效降低抖频对输出纹波的影响。下图是固定抖频和DIO835X系列交错式抖频对输出纹波的影响:同一个系统,DIO835X可以降低16mV输出纹波,占比24%


下图是固定抖频和DIO835X系列交错式抖频对FB电压的影响:DIO835X可以降低77mV FB纹波,占比18.6%。

(图9)先进的抖频功能


DIO8355A内置6V差分驱动电路,可以直接驱动GAN,省去复杂的外围驱动电路。

(图10)氮化镓直驱技术


DIO8355A 内置高压VCC供电,对于PD宽输出范围,可以节省供电部分的线性稳压电路,节省6颗BOM,同时减少一个辅助绕组。

(图11)精简VCC供电设计

(图12)功能

(图13)保护功能

(图14)启动

    


(图15)EMI


样片申请链接:

https://www.dioo.com/cn/serve/apply.html

或者您还可以通过以下方式获取样片。

样片申请邮箱:sample@dioo.com

电话:021-62116882/0755-82559102


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