电阻率降低35%！Soitec公布碳化硅技术细节

前段时间，Soitec宣布8英寸SiC量产，而且还投资23亿建线（.点这里.），更为关键的是他们号称能让单块SiC晶锭产量增加10倍，使SiC MOSFET芯片尺寸缩小5-15%。

很多人都很好奇Soitec的技术细节，最近，“行家说三代半”拿到了他们的技术文献，今天就给大家分享一下。

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SiC功率器件已成为广泛应用的突破性技术，风靡汽车牵引逆变器、DC/DC转换器、车载充电器或充电站等领域。

但是目前，4H-SiC材料质量和供应限制了碳化硅在汽车等领域的爆发，因为这些领域对碳化硅衬底的质量要求非常高，而目前业界还很难提供近乎无缺陷的衬底晶圆。

Soite认为，他们通过Smart Cut技术，制造的SmartSiC衬底，具有非常高的质量，能够优化器件良率。

SmartSiC的制作步骤如下，这种方式的好处可以参考之前的报道（.点这里.）：

图1:SmartSiC 衬底制造工艺

SmartSiC衬底概念图如下：

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目前，Soitec已经展示了SmartSiC开发样品，并可用于器件评估。

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4H-SiC 衬底（左）和 SmartSiC衬底（右）

根据文献，Soitec通过多晶SiC衬底的开发，制作了电阻率低至 5mΩ.cm或更小的碳化硅晶片。从整个堆栈来看，对应的垂直电阻为0.22mΩ.cm2（或更小）。

350μm的SmartSiC电阻率与100µm的 4H SiC相当，比常规180µm的碳化硅衬底的电阻率降低了35%。

此外，多晶SiC衬底的另一个好处是能够提高材料的机械性能，从而使磨削下的变形可以忽略不计。与Bulk SiC 参考相比，优化的多晶SiC磨削至180µm变形得到改善。

同时，Soitec还证明了SmartSiC衬底比供体晶圆更低的晶体缺陷率。

显微镜和 AFM 图像显示，SmartSiC的 TED、TSD 和 BPB都得到了明显的优化。

通过对比可以发现，Smart Cut 不会引入新的晶体缺陷。

为此，该公司认为，他们的SmartSiC在功率器件应用方面具有巨大潜力，不仅可以提高性能，而且可以提高可制造性。