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6月25日，国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届技术专家委员会成功召开。中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心主任郝跃，中国科学院院士江风益，中国工程院院士欧阳晓平，中国科学院院士杨德仁等数十名国内第三代半导体领域顶尖技术和产业专家出席会议。华灿光电与国创中心共建的微显示LED技术联合研发中心在会议上授牌，首席技术官王江波博士入选第一届技术专家委员。
围绕产业链需求，面向关键技术攻关方向，会上新启动共建了8家联合研发中心，包括微显示LED技术联合研发中心、氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心、宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心、碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心、超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心。
（左三：华灿光电与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心）
同时，国创中心第一届技术专家委员会正式成立，由来自第三代半导体领域学术界、产业界的六十余位顶尖专家组成。
（右四：华灿光电首席技术官王江波博士）华灿光电自成立以来坚持自主研发和技术创新，目前公司已成立珠海华发华灿先进半导体研究院、浙江省第三代半导体重点实验室、博士后工作站、企业研究院等研发机构。此次与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心，将充分发挥华灿光电在第三代半导体技术领域多年的技术积累与创新优势，依托国创中心国家级战略科技力量和创新平台，构建研发资源整合，重点聚焦第三代半导体材料与器件领域新技术的突破，加速公司技术创新发展。插播：更多全球SiC产业布局，尽在《2021第三代半导体调研白皮书》，扫码可抢先阅读！创世界纪录、提高200%....碳化硅又有3项利好技术
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