JDI、出光联合开发出Poly-OSTFT背板技术

WitDisplay 2022-06-21 23:24

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6月21，JDI和出光兴产宣布成功开发了多晶氧化物半导体Poly-OS。

JDI利用其独有的背板技术，在茂原工厂（千叶县茂原市）的第6代量产线上成功实现了世界首个多晶氧化物半导体Poly-OS的商业化。Poly-OS 还可部署到更大世代的第 8 代及以上生产线，显著降低显示器制造成本。JDI 和出光兴产都致力于在全球范围内积极推广这项创新技术。

多晶氧化物半导体Poly-OS整合出光兴产专有多晶氧化物半导体材料和JDI专有的背板技术，在第 6 代线上量产时实现高迁移率和低截止漏电流，显著提高了显示性能。适用于各种显示器，包括可穿戴设备、智能手机、虚拟现实设备（VR）、笔记本电脑和大尺寸电视等应用。

Poly-OS技术简介

创新的多晶氧化物半导体“Poly-OS”技术显著提高了迁移率，并成功实现了与 LTPS 相当的更高性能。因此，Poly-OS 可以创建与现有背板技术的最佳特性结合在一起的产品（图 1）。

图1 技术概念

氧化物半导体的分类

氧化物半导体已通过将非晶或晶体结构（例如C 轴取向晶体/纳米晶体）用于晶体管的有源层而实现商业化。出光兴产开发的多晶氧化物半导体材料IGO的特点是能够通过与现有的非晶氧化物半导体相同的工艺（450℃以下）实现多晶状态（图2）。通过将这种多晶氧化物半导体用于有源层，可以最大化原始氧化物半导体的迁移率。