IPO|拟募资5.3亿元！锴威特科创板IPO获受理

来源：苏州锴威特招股说明书

一、发行人概述

公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率器件及功率 IC 两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面 MOSFET 为主，并在平面 MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率 IC 方面，公司专注于功率驱动 IC 和电源管理 IC。此外，在第三代半导体方面，公司的 SiC 功率器件已小批量出货。

发行人凭借高性能的产品，形成了较强的市场竞争力。结合 Omdia 研究数据，以发行人 2020 年 MOSFET 产品销售额测算，发行人全球 MOSFET 市场的市场份额约为 0.23%；另根据江苏省半导体行业协会统计，2020 年公司FRMOS 产品的国内市场占有率约为 6%，位列本土企业第四位；SiC 功率器件方面，公司是国内为数不多的具备 650V-1700V SiC MOSFET 设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

二、发行人主要财务数据及财务指标

三、公司主营业务收入

四、募集资金用途

1、智能功率半导体研发升级项目

该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率器件、功率 IC、IPM、光继电器（Photo MOS）产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。

2、SiC 功率器件研发升级项目

SiC 功率器件研发升级项目主要涉及 650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD 工艺优化、器件升级及 SiC 功率模块的规模化量产。在 SiC 功率器件方面，一是 SiC MOSFET、SiC SBD 由 4 寸晶圆升级到 6寸晶圆的研制；二是在 SiC MOSFET 基础上开发集成 SBD 器件，开发出 650V和 1200V 的 SiC SKMOS。

在 SiC 功率模块方面，包括 SiC SKMOS 功率模块和集成功率驱动的 SiCSKMOS IPM 智能功率模块的研发。

SiC 功率器件及 SiC 功率模块的研发、规模化量产及销售，可以有效丰富公司产品品类，扩大产品的应用范围，提高公司 SiC 产品的供货能力，从而提高公司盈利水平。

3、功率半导体研发工程中心升级项目

项目将依托公司在功率器件、功率 IC、IPM 及光继电器（Photo MOS）产品研发方面的经验积累，对功率半导体研发工程中心进行升级，具体包括如下方面：对功率半导体器件和模块封装可靠性、SiC 高温封装应用、基于SiCMOSFET 制作光继电器（Photo MOS）以及数字电源进行持续深入研究；升级公司智能功率半导体可靠性实验室，建设测试应用中心，致力于打造功率半导体器件测试及可靠性考核平台。通过增加相关的检测分析设备投入，持续优化实验环境，提升测试与可靠性分析的能力和效率，进一步保障产品质量、吸引高端人才，实现技术的升级和专业人才的培养，从而促进公司主营业务高质量发展。

五、股权结构图

六、组织架构图

七、董事会成员

八、主要客户情况

报告期各期，公司前五大客户销售收入及占比如下：

九、主要供应商情况

报告期内，公司向前五大供应商采购内容主要包括中测后晶圆（以及晶圆代工服务）、外延片等。采购总额包括与公司产品生产相关的外延片、晶圆（以及晶圆代工服务）等物料采购费用及封装费、测试费、掩膜版采购费用等。

2021 年度，公司向前五大供应商采购情况如下：

十、公司研发投入情况

报告期内，公司无研发费用资本化的情况，研发费用占比情况如下所示:

十一、核心技术人员

公司核心技术人员共 4 位，具体名单如下：

十二、员工专业结构

截至 2021 年 12 月 31 日，发行人员工的专业结构如下：

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