英特尔和晶湛12英寸GaN技术非常受人关注（.点这里.），昨天，又有一家GaN企业号称可以做到12英寸，而且是“3D”技术，5G射频和功率器件“通杀”。该企业号称，他们的氮化镓是”终极“技术，究竟有哪些过人之处？今天我们就来解读一下。插播：7月7日，欣锐科技、意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、三菱电机、芯干线、百识电子和恒普科技等企业“大咖”，将亮相“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，早鸟票将于6月20日截止，报名请点文末“阅读原文”。
6月14日，外媒发文称，Finwave半导体公司可提供8英寸 3D FinFET氮化镓技术，帮助解决5G挑战。该项目获得了美国能源部432万美元（约2900万元人民币）的资助。Finwave的前身是剑桥电子公司，由麻省理工学院的研究人员于 2012 年创立，或许是为了避免与“剑桥氮化镓公司”重名， 2022 年该公司改用新的名字Finwave。
报道称，Finwave联合创始人Tomas Palacios教授和Bin Lu博士合作发明了多种技术，其中包括一种基于 FinFET 架构的新型氮化镓晶体管。该技术具备2个优势：首先，得益于他们的专利蚀刻自停止技术，他们开发了使用标准硅铸造厂的工艺技术，已于2020年展示了第一个使用8吋硅CMOS工具制造的GaN FinFET。由于采用硅晶圆，他们的氮化镓可以从8英寸扩展到12英寸。目前，他们正在计划将该技术转移到一家位于美国的8英寸硅晶圆制造厂，并与外延晶圆供应商、代工厂以及芯片和模块制造商合作，共同开发产品。其次，Tomas Palacios表示，Finwaves的3D GaN技术，能够显著提高5G毫米波系统的线性度、输出功率和效率，同时大大降低了运营商的成本。而且更为重要的是，也可以从0.13微米做到深度缩放晶体管，“将摩尔定律引入了GaN”。不仅仅是5G，该技术也为频率高于 100GHz 的 6G 通信做了大量工作。在6G应用中，3DGaN FinFET可实现超过400 GHz Ft和Fmax，输出功率比其他竞争技术高一个数量级。除了 5G/6G，Finwave 的 3DGaN 技术还可以提高功率转换器的效率和工作频率，可应用到电压调节器、电动汽车等方面。Finwave称，由于传统电力电子设备的效率低下，多达 20% 的能源被浪费了。他们的使命是以更小的外形尺寸以高于 95% 的效率转换更多的功率，可将数据中心VRM的尺寸和功率损耗大幅降低50%2017年，他们就与 IQE plc、哥伦比亚大学、IBM 和新加坡-麻省理工学院开发了新技术，使氮化镓功率器件能够处理 1200V 的电压。
加入氮化镓大佬群，请加VX：hangjiashuo666Tomas Palacios认为，这已经足够用于电动汽车，但他们正在进一步将电压提升到 3300V-5000V，从而将 GaN 的效率带到电网等电力电子设备中。技术方面，他们与传统的常关型 GaN 晶体管有所不同。最常见的常关型 GaN有2种路线， 一是级联共栅，二是p-GaN 栅极。然而，这两种方法都有缺点，例如开关性能受损、成本增加或栅极鲁棒性差。Finwave开发了一种“真正的”常关绝缘栅 GaN 晶体管，它克服了级联和 p-GaN 栅极常关 GaN FET 的缺点，并且工作起来更像 Si MOSFET。经过多年的研究，该团队已经取得了几个重要的里程碑：在 MISFET 界面创纪录的沟道迁移率；高均匀度；以及业界最佳的阈值电压 (Vth) 稳定性。国内氮化镓技术业发展迅速，比如南京芯干线的氮化镓器件已经被PD快充、储能电源、LED照明、E-Bike充电器等多家行业标杆客户量产应用。7月7日，芯干线将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，届时，将讲解《GaN器件在工业电源中的应用》。此外，欣锐科技、意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、三菱电机、百识电子和恒普科技等企业，他们将共同探讨碳化硅在新能源汽车、储能、光伏等领域的最新动态和技术方向。其中， 欣锐科技将带来《SiC器件在新能源汽车产业中的应用》，Wolfspeed将带来《Wolfspeed SiC MOSFET 促进 OBC 和 ESS 的创新和先进设计》；三菱电机的演讲主题是《SiC功率芯片和功率模块技术最新进展》；百识电子将带来《碳化硅外延生产技术》。意法半导体、英飞凌和恒普科技等企业的演讲议题即将揭晓。
2021年，英飞凌、罗姆、三菱电机、安森美、天科合达、东莞天域、飞锃半导体、芯聚能、能芯等企业，齐聚行家说举办的“SiC与GaN功率器件技术与应用分析大会”上，吸引了比亚迪、蔚来、理想、华为、伊顿电气、中车、三安、II-VI等企业参会，现场参会人数近400人。2022年精彩继续，7月7日，深圳见！快扫下方二维码报名参会吧！
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