SiCMOSFET新进展!进军车规、工控领域

最近,澎芯半导体的SiC MOSFET产品喜获新进展——成功研制出具有低比导通电阻的SiC MOSFET,并已获得充电桩、光伏逆变器和新能源汽车客户的认可和采用。

SiC MOS通过1000小时考核

已在车规、工控领域通过系统测试认证

据介绍,澎芯此次上市的是一款1200V SiC MOSFET
目前,该产品已通过1000h的可靠性考核,并且联合客户在100KHz频率下,分别搭载2500W的开环Boost电路和2500W的三相逆变桥式电路的应用系统测试评价,非常出色地呈现SiC MOSFET产品在高频率和高效率方面的性能优势,并顺利通过客户的系统测试评估认证。

据了解,Boost电路测试条件的环境温度为25℃,驱动电压为Vgs=+18V,关断电压为Voff=-5V,输出功率2500W,实测器件温度为86℃,测试结果如下图所示:

三相逆变桥式电路(高压电机驱动)测试条件的环境温度为25℃,驱动电压为Vgs=+20V,关断电压为Voff=-5V,输出功率2500W,实际上下桥臂温度为56℃,测试结果如下图所示:

澎芯半导体告诉“三代半风向”,该产品已经陆续配合充电桩、光伏逆变器和新能源汽车领域的客户进行系统测试认证工程批试产
澎芯半导体表示,他们能快速推出高可靠的SiC MOSFET产品,主要基于以下3点:
● 公司团队成员均来自国内顶尖半导体公司,在半导体器件领域有着20年以上的经验,尤其在SiC功率半导体研发也已深耕八年之久;
● 公司核心团队有着准确的产品研发赋能和精准的产品市场定位;
● 晶圆产线的密切技术合作,以及高效的工艺开发配合。

SiC SBD已获批量化订单

打入快充、充电桩等领域

除了新推出的SiC MOSFET产品之外,澎芯半导体的650V1200V SiC系列化肖特基二极管,已陆续得到客户的高度认可和批量化订单,包括快充电源、充电桩、IPM模块等方面客户(.点这里.)。
据介绍,澎芯的SiC SBD产品具有低正向压降(典型1.26V),高抗浪涌电流(典型11倍)和低反向漏电流(典型5uA)的性能优势。
目前,澎芯半导体已垂直整合国内外的产业链优质资源,形成稳定批量化产业平台,专注于器件设计研发,欢迎广大朋友来电垂询。

▲ 公司名称:绍兴澎芯半导体有限公司

▲ 联系电话:0575-87008650

▲ 邮箱地址:sales@pengxsemi.com

▲ 公司地址:浙江省诸暨市经济开发区大侣西路40号1号楼

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