晶体振荡器电性能差异化应用

原创 KOAN晶振 2022-06-07 17:01

高精密电子仪器和通信系统的应用下,我们需要考虑不同封装的石英晶振的电性能参数变化对系统的影响。

晶振的发展趋势
01

年来,晶振朝着小型化发展,例如便携式设备:

SMD 2.0x1.6mm尺寸: 

  • CMOS输出时钟振荡器(KS20);

SMD 2.5x2.0mm尺寸:

  • LVDS输出时钟振荡器 (KD256D);

  • HCSL输出时钟振荡器 (KD256C);

时钟振荡器
KS/KD/KJ/KM系列
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02

低功耗晶振:

  • 1.2V低电压MHz晶体振荡器, 尺寸可选2.5x2.0mm, 3.2x2.5mm, 5.0x3.2mm, 7.0x5.0mm。

  • 100μA最大KHz晶体振荡器, 尺寸可选3.2x2.5mm, 5.0x3.2mm, 7.0x5.0mm。

低功耗晶振
低电压,低电流
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同时具备小尺寸和低功耗的晶振适合在移动设备和穿戴设备中使用。


起振时间

起振时间主要由晶体的谐振电阻与负性阻抗共同决定。

  1. 晶体的谐振电阻越小,起振越快;

  2. 负性阻抗大小由振荡IC和负载电容CL决定,负载电容与负性阻抗大小成反比。

    • CL值大→负性阻抗较小→起振较慢

    • CL值小→负性阻抗较大→起振较快

相位噪声/抖动

KOAN建议选用谐振电阻较小的晶片,才能给CL保留调整空间,改善近端和远端低相位噪声需求。

  • 起振较慢→电路相对稳定→远端相噪好 →不利于近端相噪

  • 起振较快→近端相噪好→但是牵引量较大→线路不稳定→频率漂移较大→不利远端相噪

低抖动晶振
KJ系列
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其它:电压/电流/功耗...

随着小型化低功耗发展趋势,电源电压,电流,体积,功耗相应减小,驱动能力变弱。

  • 如果电子设备需要驱动能力比较强的振荡器,尽量选择体积大,电压高,避免选择电压高低兼容晶振;

  • 如果既要体积小又要驱动能力相对较强,可选用负载能力比较高的振荡IC,同时选择高Q晶体。需要注意的是:体积越小,电压也要随之降低,防止晶体激励功率过高。


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