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前 言
大家好，今天分享南京航空航天大学秦海鸿老师关于“SiC MOSFET门极驱动设计与挑战”的一篇研究报告，以期促进本领域的学术交流和技术进步，主要包括SiC MOSFET门极驱动面临的一些技术挑战（开关振荡、串扰抑制、EMI和短路保护等）、门极驱动电压建模方法、门极驱动参数优化方法等，内容非常实用，更详细的可以参考秦老师出版的相关书籍《碳化硅电力电子器件原理与应用》、《宽禁带器件驱动电路原理分析与设计》和《氮化镓电力电子器件原理与应用》等
报告内容
文章首尾冠名广告正式招商，功率器件，SiC，GaN，数字电源，新能源厂家都可合作，有意者加微信号1768359031详谈。
说明：本文来源网络；文中观点仅供分享交流，不代表本公众号立场，转载请注明出处，如涉及版权等问题，请您告知，我们将及时处理。
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重点
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