高精密电子仪器和通信系统的应用下,我们需要考虑不同封装(贴片/直插)的石英晶振的电性能参数变化对系统的影响,包括C0/C1, CL,RR。
同一频率C0/C1的不同会影响振荡电路的稳定性:
C0/C1大,频率上升到标称频率前电抗变大,起振快,频率难调整,但不易受外面杂散电容影响,适合高稳需求;
C0/C1小,频率变量大,易受杂散电容影响,频率温度稳定性变差,但易于CL调整频率。
KOAN晶振建议您:
先求稳后求精准度,要合理控制C0/C1范围,比如49S-25M合理范围280-310.
负载电容CL是电路中跨接晶体两端的总的有效电容,主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,与晶体一起决定振荡器电路的工作频率,通过调整负载电容,就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
CL大,远端相噪好;CL过大,难调整到标称频率,还容易导致回路阻抗增大,难起振;CL小,容易调整频率,近端相噪好,易起振。
KOAN晶振建议您:
随着晶体小型化发展,谐振器C0变小,我们应相应降低CL。否则会减弱晶体C0电流分流比例。往期文章:《无源晶振的负载电容怎么选?》
同频率晶体的体积越小RR越大,RL晶体加负载电容的谐振阻抗, RL=RR(1+C0/CL)² 。根据其大小,评估振荡电路设计振荡宽限,满足振荡电路的振幅条件和激励功率等级。
I:晶体谐振时流经晶振的电流,与RR成反比
RL:等效电阻
P:实际跨在晶体上的功率。