据龙芯中科官方公众号预告，6月6日将举行2022年LoongArch生态发展，届时会发布完全自主架构、为高性能计算而生的龙芯3C5000以及新一代服务器基础软硬件平台。
此前报道，2020年龙芯中科自主指令系统LoongArch问世，基于龙芯二十年的CPU研制和生态建设积累，从顶层架构，到指令功能和ABI标准等，全部自主设计，不需国外授权。
2021年7月，龙芯3A5000处理器发布，首次落地LoongArch指令集，性能逼近国际主流水平，标志着自主研发CPU的性能完全可以超过引进技术。
在龙芯的产品中，龙芯3A系列主要面向消费级市场，龙芯3C系列则是针对服务器市场，去年底中科院官网就预告了龙芯3C5000的信息。
2021年11月，龙芯中科技术股份有限公司完成了基于自主LoongArch指令系统的龙芯3C5000服务器CPU的研制。
龙芯3C5000服务器CPU内部集成16个高性能的龙芯LA464处理器核、32MB的共享片上高速缓存和4个64位DDR4-3200内存控制器，主频2.1-2.3GHz，单芯片双精度浮点峰值运算速度超过0.5TFLOPS，综合性能接近市场主流服务器CPU产品的水平，可全面满足云计算、数据中心的性能需求。
数字经济时代，芯片扮演着重要角色。得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等，我国的半导体产业正在蓬勃发展，并不断拉近与先进地区、企业的差距。
日前，韩国研究机构OERI在报告中称，估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年。
具体来说，三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片，国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm（1y或者说16/17nm）。
一般而言，DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。
按照正常节奏，国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距，可目前有一个比较棘手的问题在于，三星和SK海力士已经为生产更先进的DRAM芯片引入了EUV（极紫外光刻）设备，而这对我们来说，暂时还没法获取。
