陶瓷基片主要包括氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）。与其他陶瓷材料相比，Si3N4陶瓷基片具有很高的电绝缘性能和化学稳定性，热稳定性好，机械强度大，可用于制造高集成度大规模集成电路板。
几种陶瓷基片材料性能比较
从结构与制造工艺而言，陶瓷基板又可分为HTCC、LTCC、TFC、DBC、DPC等。
高温共烧多层陶瓷基板（HTCC）
低温共烧陶瓷基板（LTCC）
厚膜陶瓷基板（TFC）
直接键合铜陶瓷基板（DBC）
DBC基板制备工艺流程
DBC具有导热性好、绝缘性强、可靠性高等优点，已广泛应用于IGBT、LD和CPV 封装。DBC缺点在于，其利用了高温下Cu与Al2O3间的共晶反应，对设备和工艺控制要求较高，基板成本较高；由于Al2O3与Cu层间容易产生微气孔，降低了产品抗热冲击性；由于铜箔在高温下容易翘曲变形，因此DBC表面铜箔厚度一般大于100m；同时由于采用化学腐蚀工艺，DBC基板图形的最小线宽一般大于100m。
直接镀铜陶瓷基板（DPC）
DPC基板制备工艺流程
DPC技术具有如下优点：低温工艺（300℃以下），完全避免了高温对材料或线路结构的不利影响，也降低了制造工艺成本；采用薄膜与光刻显影技术，使基板上的金属线路更加精细，因此DPC基板非常适合对准精度要求较高的电子器件封装。但DPC基板也存在一些不足：电镀沉积铜层厚度有，且电镀废液污染大；金属层与陶瓷间的结合强度较低，产品应用时可靠性较低。
来源：先进陶瓷材料 | 先进陶瓷展
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