5月18日,全球第一大半导体硅片厂商信越化学(Shin-Etsu Chemical)官网宣布,他们将扩大其GaN量产系统,加速氮化镓外延生长衬底的商业化。
信越表示,他们在2019年与美国Qromis开展了第一次合作,双方就制造 GaN 衬底材料的专利 Qromis Substrate Technology (QST™) 签订了许可协议。信越负责生产QST衬底和GaN-on-QST外延晶片,并借助QST补充其现有的GaN-on-Si产品阵容。而在信越此次的扩产中,它将与Qromis继续展开深入合作,通过其专有技术改进6吋和8吋的 QST衬底供应系统,要将产量翻倍,以满足市场快速增长的需求。根据Qromis的文件介绍,他们已经发布了6英寸和8英寸的QST衬底,以及具有5微米和10微米GaN层的“模板”,产品良率为90%。
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“三代半风向”此前报道过,比利时研究实验室imec开发了1200V的氮化镓技术,硬击穿超过1800V,该成果的实现就是基于Qromis公司的200mm QST®衬底。信越化学成立于1926年,其半导体硅片市场份额常年位居全球第一。旗下两个生产半导体硅片的子公司Shin-Etu Handotai与Sanken Electric 拥有着关于GaN 外延生长技术方面的专业知识。信越还表示,在未来将持续推出大直径相关产品,包括300mm(12吋) 直径的GaN产品,为实现节能、可持续发展的社会做出贡献。插播:更多全球GaN产业布局,尽在《2021第三代半导体调研白皮书》,扫码可抢先阅读!
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