存储行业新动向：3DNAND国内外200层战役打响；SK海力士在大连建厂

据业内人士透露，中国长江存储科技（YMTC）最近已向一些客户交付了其内部开发的192层3D NAND闪存样品。

在中美贸易关系持续紧张的情况下，长江存储采取低调的方式推进其NAND闪存制造技术的发展。尽管如此，消息人士称，这家总部位于中国的存储芯片制造商预计将在今年年底前首次亮相192层3D NAND闪存。

消息人士称，引入192层3D NAND闪存芯片的能力将标志着长江存储的一个里程碑，该公司正在努力在技术竞赛中赶上其规模更大的韩国和美国同行。

此外，长江存储还将其月产量扩大到10万片，因为该公司128层3D NAND闪存工艺的制造良率已提高到令人满意的水平。

此外，消息人士指出，长江存储将很快完成其总部武汉工厂二期设施的建设，设备搬迁计划于今年晚些时候开始。预计到2023年底，长江存储全球市场份额将达到7-8%，届时其月产量可能超过20万片。

 美光和西部数据已加入200层战队

此前，ICViews记者也报道过美光科技推出了业界首款232层3D NAND闪存（美光再争行业第一，又一次突破3D NAND堆叠极限），该闪存将用于计划于2023年推出的新SSD。

美光232层3D NAND芯片（128GB）中的原始容量为1TB，该芯片利用美光的CMOS下阵列（CuA）设计，在彼此之上产生两个3D NAND阵列。结合CuA设计+232层NAND方案，有助于极大地缩减美光1Tb3DTLC闪存芯片的尺寸，同时降低生产成本或提升利润率。

除了美光，另一巨头西部数据也在近期举办的投资者日活动上布未来闪存技术路线图，西数表示将与合作伙伴铠侠推出162层闪存产品（BiCS6），之后两家公司还将发力200层以上（2XX层）闪存技术。

目前闪存市场上176层闪存产品已经批量出货，西数与铠侠162层闪存虽然层数不及176层，但西数表示将采用新材料以缩小存储单元尺寸，进而缩小芯片尺寸。

 来源：西数

西数与铠侠计划2022年底前开始量产162层NAND，未来两家公司还将推出200层以上（BiCS+）的闪存产品，与BiCS6相比，200层以上BiCS+每个晶圆的位元将增加55%，传输速度提高60%，写入速度提高15%。

BiCS+产品将率先应用于数据中心领域，未来西数还将推出应用于消费者领域的200层以上产品（BiCS-Y）。

 SK海力士大连新厂开工，认为中国位置举足轻重

存储巨头们除了技术上的提升，海外建厂扩张的步伐也在跟进。世界第三大DRAM制造商SK 海力士非易失性存储器制造项目16日在辽宁大连开工，该项目将建设一座新的晶圆工厂，生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

SK海力士半导体(中国)总裁郑银泰表示，SK海力士将中国视为重要的合作伙伴，并始终保持着同中国的友好合作关系。在大连新建NAND闪存工厂的同时，SK海力士还通过追加投资对无锡、重庆工厂进行了产能扩充，并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。

郑银泰说，本次新建项目不仅有利于提升大连工厂自身的产业竞争力，还有助于保障中国市场供应链稳定。后续，SK海力士将与大连市政府、英特尔大连团队紧密合作，按计划完成新工厂建设，将大连工厂打造成具有国际竞争力的NAND闪存生产基地。