来源：科技新报
美商存储器大厂美光 （Micron） 5月12 日发布表了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash 快闪存储器。美光并计划将其新的 232 层堆栈 3D NAND Flash 快闪存储器产品用于各种产品上，包括固态硬盘，计划将在 2022 年底左右开始量产此类存储器。
美光指出，232 层堆栈的 3D NAND Flash 快闪存储器采用 3D TLC 架构，原始容量为 1Tb（128GB）。而且，该存储器基于美光的 CuA 架构，并使用 NAND 字符串堆栈技术，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。
而在 CuA 设计的 232 层堆栈的 3D NAND Flash 快闪存储器中，将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺寸，这有望于降低生产成本，使美光能够对采用这些存储器的设备进行更有竞争力的定价，或者增加其利润率。
不过，美光并没有宣布其新的 232 层堆栈的 3D NAND Flash 快闪存储器的 I / O 速度或平面数量，但暗示与现有的 3D NAND Flash 快闪存储器设备相比，新的存储器将提供更高的性能，这对采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特别有用。此外，美光还强调 232 层堆栈的 3D NAND Flash 快闪存储器将比上一代的产品更具节省功耗的能力，使用在品上更具节能优势。
美光的技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出，该公司已经与内部和第三方 NAND Flash 控制 ic 的开发者密切合作，以建立对新型存储器的支援。美光预计 2022 年年底开始生产 232 层堆栈的 3D NAND Flash 快闪存储器，预计采用新存储器的固态硬盘将在 2023 年左右问世。
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