答题丨过孔STUB长,DDR信号“强”?

高速先生 2022-05-13 15:58


上期话题

过孔STUB长,DDR信号“强”?

(戳标题,即可查看上期文章回顾)


大家接触过的DDRX最多拖了几个颗粒呢?

地址信号采用什么拓扑?欢迎分享


感谢各位网友的积极参与!


本期文章留给大家的问题是开放性的,所以也没有标准答案。不过,由于案例过于特殊,也引起了不少网友的疑问,这里一并做个解答。


首先,关于主控芯片的驱动能力,有不少问为何不直接调低Drive strength,其实客户在上一版本(最高运行至2933Mbps的版本)已经有过尝试,无论如何调整驱动内阻配置以及corner,都达不到目标速率。


其次,关于板材对于仿真结果的影响也是存在的,但不是本案例的主要影响因素,这个也通过后仿做了验证。


最后,也是高速先生最担心答案来自一名叫“宇”的网友:“以前设计都是看见stub必心慌,看来现在不用了”——看样子是对文章有点断章取义了,分享这个案例只是为了说明仿真对于设计的辅助作用,绝不是简单的认为stub越长越好。


总而言之,画板不停,对stub的敬畏不止,始终要谨慎对待。



(以下内容选自部分网友答题)

一般最多目前画的也是4片DDR,然后是T行走线。地址信号是fly-by结构,其实过孔的影响确实比较难估算的,因为速率不同自然等效电感电容不同,所以文章说说的并不一定是stub影响吧,会不会板材不一致导致的呢

@ moody

评分:3分

如果是16位系统,一般是一颗或者两颗ddr,如果是32位系统,一般可以是两片或者四片ddr,如果是64位系统,一般是四片或者八片ddr。重点是尽量减短stub


@ 欧阳

评分:3分

见过的DDRX最多拖了10个颗粒。地址信号采用fly-by拓扑,正反贴,每面5个器件。


@ 涌

评分:3分

接触过1拖8的,一种是8位的颗粒用了8片,还有一种是16位的颗粒用8片组成双Rank。比较常用的方法是地址命令用fly-by加小T的方法。


@ 绝对零度

评分:3分

一拖5个DDR2,使用的是一个大T(中间一片就是一个T点),之后分两个小T。DDR3,1拖四个,直接上Fly-by结构。DDR4,一拖4个,直接上fly-by结构。

@ Jamie

评分:3分

我们一般是接5片DDR颗粒,Flyby拓扑。看仿真结果,换层走线确实是效果好了,但是会不会是因为换层走线的原因?不一定是过孔的STUB的影响吧?


@ Alan

评分:3分

clamshell,试一试第一段,即MC到第一组颗粒的走线走在中间层,之后的组组之间连线层在近顶层和近底层翻转切换布线。

flyby,MC到第一个颗粒走线层优选靠近MC层,第一个颗粒到第二个可以走线优选靠近第一段走线层。之后的每一段走线按近顶层和近底层翻转切换布线。


@  赵国龙

评分:3分

自己接触的一般情况下一拖四吧,拓扑是fly-by,DDR 3时也是用过菊花链结构的。就像文中所说“实在拿不准的还是要仿真”,但要注意高速率以后,一定需要把板材损耗这个因素考虑进去的,DDR信号质量的好坏,不同的系统环境可能要去做详细的仿真才能确定其信号质量。

@  

评分:3分

地址信号是fly-by结构.据芯片手册中内容提取:1.信号类型,是DDR几。2.内存结构特征,64还是256兆位,16还是32位宽,8个或其它个银行。3.周期时间,125还是15E等。4.是否有读写平衡功能。信息和方案给仿真员进行原理图仿真,确定布局走线的拓扑。多采用T型走线。若有通道时间补偿的,采用Fly-by走线

@ Sarah Tu

评分:3分

平时接触的DDR产品在一拖四(含)之内。产品评审阶段,根据芯片手册中内容提取:1.信号类型,是DDR几。2.内存结构特征,64还是256兆位,16还是32位宽,8个或其它个银行。3.周期时间,125还是15E等。4.是否有读写平衡功能。信息和方案给仿真员进行原理图仿真,确定布局走线的拓扑。多采用T型走线。若有通道时间补偿的,采用Fly-by走线。

@ 山水江南

评分:3分

在第一片ddr附近绘制一段antenna同样能调理近端信号,结合仿真分析,比用过孔stub来调理更方便可靠

@  🔥

评分:3分

2RANK X4 LRDIMM上最多一驱二十,星型+Flyby+T型拓扑


@ wgy

评分:3分

确定是stub带来的改善?

DDR4 Addr command这种两T信号速率比较低,stub影响其实没有这么大. fly-by 还是阻抗匹配和对称性比较重要.

我认为这里起改善的是第一段线换层了,via length 改变了,改善了阻抗.

PS:文中显示应该是1T timing的control 信号.

一般fly-by 是第一篇反射比较大,比较常见的一种操作是拉长第一片和第二片的线长来改善反射叠加位置.DIMM条也经常有类似操作.

像这种1托9 fly-by 又正反贴,在正反贴那两片信号需要换层,其中有个length 很长的via,. 要是板很厚,那两片也是反射重灾区,应该也要重点关注. Dimm条一般厚度不大,不能完全参考他.



@ Erick

评分:3分

ddr2的时候,最多四片,地址走星型拓扑(ddr2有顶底对贴,也有不对贴)。ddr3最多也是四片,地址走fly by。

@ Ben

评分:3分

与射频电路为什么加π衰是一样样的


@  起风了

评分:2分

DDR每段阻抗都不一样的,这个里面从CPU到DDR颗粒间阻抗分别都是多少啊


@ 猰貐

评分:2分

实在拿不准的还是要仿真”这是一句真理


@  HQ-SI-李争海

评分:2分

真是大肠包小肠,si无常啊......

但是主控的drive strength为什么不调低呢



@ Miramesa

评分:2分

然后呢,内存上机还需要控制Stub吗,国产长鑫内存双通道就是这么被玩没的


@  Xavier 

评分:2分

利用过孔容性把高频噪声滤掉,但是上升沿也会变缓吧


@  花JY

评分:2分

Passive Stub Equalizer”早年有篇DesignCon论文讨论过这个



@  Ryan Shi 

评分:2分

我们都跑4266


@ 福与天齐

评分:1分

这么干的自信从哪里来的


@ 小能猫

评分:1分

是走线前仿真还是走线后仿真


@ Guojian

评分:1分

能能量通过stub泄放了?这样对EMC辐射有影响吧,有没有考虑是否会辐射超标???


@ 姚良

评分:1分

以前设计都是看见stub必心慌,看来现在不用了


@ 宇

评分:1分



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