视频讲解了功率MOSFET设计过程中的基础问题，包括：工艺流程及器件结构；器件工作原理；器件击穿特性；器件寄生电阻、电容、二极管；器件动态特性等。视频内容较基础，为微电子专业入门级。
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图13显示了一个典型的栅电荷波形和测试电路。当栅极连接到电源电压时，VGS开始增加，直到达到Vth，CGS开始充电。在t1至t2，CGS继续充电，栅极电压继续上升，漏极电流上升。在时间t2时，CGS被完全充电，漏极电流达到预定的电流ID，并在漏极电压开始下降时保持恒定。当CGS在t2处充满电时，VGS变得恒定，驱动电流开始给Miller电容CDG充电。这种情况一直持续到时间t3。由于t2和t3之间的漏极电压快速变化(电流=Cdv/dt)，Miller电容的充电时间大于栅极-源电容CGS的充电时间。一旦电容CGS和CGD都充满电，栅极电压(VGS)再次开始增加，直到在t4时刻达到电源电压。时间t3对应的栅极电荷(QGS+QGD)是开启所需的最小电荷。
视频讲解了功率MOSFET设计过程中的基础问题，包括：工艺流程及器件结构；器件工作原理；器件击穿特性；器件寄生电阻、电容、二极管；器件动态特性等。视频内容较基础，为微电子专业入门级。
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