低压VDMOS手动设计（视频）

    VDMOSFET的电学参数主要包括静态参数和动态参数。 静态参数主要有:击穿电压（Breakdown Voltage）、导通电阻（Ron-state）、阈值（Vth）；动态参数主要有：导通延时时间td-on、关断延时时间td-off、上升时间tr、下降时间tf等。

    以平面栅低压VDMOS为例，介绍其手动设计方法。在纵向结构参数设计中，介绍了外延层厚度、外延层掺杂浓度的设计依据；栅氧化层厚度、P体区掺杂浓度的设计依据。在横向结构参数设计中，介绍了单胞尺寸、多晶硅尺寸与窗口区尺寸设计、特征导通电阻的计算、芯片有效面积设计、单胞数量的设计等，最后对器件结构参数进行总结。本视频适合于半导体器件设计和制备从业者或微电子专业学生的入门级学习。

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