台积电在今年上半年公布了3nm芯片的生产计划，与此同时，3nm工艺的三星也在进行测试。韩国的报道指出，三星的3nm制程技术，目前的良品率只有10%至20%，与公司预期的差距甚大，且3nm的良品率难以提高。三星和台积电已经成功地将5nm制程批量生产，并且正在加速3nm制程的制程。三星将GAA与台积电FinFET结构相比较，认为GAA结构具有优势。根据 Digitimes消息，三星在3nm制程上采用GAA型三极管的良品率要比预计的要低得多，这可能会使公司在大规模生产上花费更长的时间。三星原本是打算“降维”，占据技术高地，对台积电进行打压，谁知道，对方在3nm采用 FinFET之后，反而更加实际了。今年初，有报道指出，泛林公司为三纳米GAA蚀刻所需的设备商，三星公司则在上半年前将整个制程进行品质确认。另据2月份的可靠消息声称，三星的主要用户高通将会在明年发布3 nm制程的芯片，让台积电来生产，现阶段高通则将骁龙8 Gen 1的一部分交给了台积电，而不是三星的独家生产。台积电与三星将面临新的竞争对手，英特尔称其将在2024年内成为业界的领军人物。此外，该公司还在极紫外光刻机上取得了领先地位。第二代EUV设备叫做高NA或者高数字光圈光刻机。目前EUV设备的NA值是0.33，而新设备的NA值是0.55。NA值愈高，则芯片上蚀刻的电路图愈清晰。这将有助于芯片设计者和代工厂商，生产出比目前IC更多晶体管密度的产品。英特尔由于参与了阿斯麦新一代光刻机的研发，在资源配送方面，英特尔极有可能是最先拿到第二代极紫外光刻机的厂商，甚至在出货量配比上英特尔可能也会占据优势。三星与台积电可能会在稍晚时刻拿到新一代光刻机，而代工商与新一代光刻机的磨合时间将会被延长，这时英特尔在时间节点与数量上都占据优势，可能会进一步威胁三星与台积电的优势地位。三星公司在2021年的运营报告中表示，由于市场需求持续强劲，公司正考虑在中期和长期扩张其成熟节点的产能。公司还称，公司正努力提升产品的竞争力，同时也在考虑增加新的芯片工厂的投入。这是三星第一次在传统的结点上进行扩建。三星最近几年不断加大对半导体的投入。预期公司会在今年增加投入。三星在设备方面的投入在2021年达到48.22万亿韩元，较上年同期增加25.3%。台积电目前正致力于提升产能，扩大生产，以及应对结构上的长远需求。“我们正在新建工厂，招募人手，扩大生产规模。”台积电高层人士说，台积电计划在今后三年内投入1000亿美元，以支援先进科技的研究与生产，增加产能，增加顾客供应的稳定性，并加强半导体产业对全球供应链的信心。公司预测，芯片制造行业的整体营收在今年会增加20%，但是台积电将会超越其，其营收将会超过20%。去年该公司的营收增加了25%。相比美国、日本的新工厂，台积电在欧洲的工厂还没有确定。英特尔在世界各地的发展速度很快，在美国、亚利桑那、奥勒冈等州、爱尔兰、以色列、欧亚、中国、新墨西哥、哥斯大黎加、马来西亚都已建有代工厂。英特尔以前曾说过，在多个地区进行供应链布局是非常关键的，因此它一直在全球的生产网络上进行投资，其中包括美国和欧洲的大量新投资。据国外媒体报道，英特尔在欧洲的扩展方案已经逐渐清晰，一家芯片工厂将在德国落地，但是具体的位置还没有确定，法国的研究和设计中心将在意大利建立一个新的封装和测试工厂。据国外媒体报道，如果这家公司在德国设立芯片工厂，其花费将达到200亿美元，而意大利的测试工厂则需要大约100亿美元。此外，英特尔还将在美国和欧洲建立新的芯片工厂，并在2026年之前，在全球范围内建立新的芯片工厂。三星与台积电都有扩大产能的计划，而英特尔亦有转为世界级代工厂的意味，三足鼎立的局势，正在形成。如果三星攻克了GAA相关的技术难关，那么可以预见，这三家世界级的晶圆代工厂将都拥有自己的“独门绝技”，届时，市场的竞争可能会更加激烈。三星、台积电的扩张以及英特尔的崛起，现在看来这三家分割国际市场的势头似乎已无法扭转，三星GAA工艺的搁浅，也只不过是一段插曲而已。市场竞争的加剧，芯片供货能力的上升，也许未来的芯片成品市场，我们能够看到单价稳定甚至是走低的态势，相信这对于整机厂商来说，是一个利好的消息。— END —
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