打破芯片股连续破发颓势！国产高端半导体设备商登陆科创板，最高涨幅44%

EETOP 2022-04-20 12:19

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近期不少半导体股登录科创板，但是大部分都是上市即破发，有不少股民表示，中一签赔一万，严重的削弱了股民打新热情。

在市场极度缺乏信心之际，国内高端半导体专用设备企业拓荆科技股份有限公司（688072）今天正式登陆科创板。就在大家以为还会继续破发之时，拓荆科技却来了一个开盘大涨的局面。拓荆科技开盘价为95.01元/股，开盘后，拓荆科技股价最高涨至104元/股，涨幅达44%，之后有所回落。截上午收盘时，拓荆科技收报91.24元/股，涨幅26.93%，总市值115.4亿元。这无疑给已经降至冰点的半导体股，带来了新的信心！

关于拓荆科技

根据官网介绍，拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月，是国家高新技术企业，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次承担国家重大专项。多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司于2020年在北京、上海、海宁成立三家子公司。

公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，拥有自主知识产权，技术指标达到国际同类产品先进水平，产品主要应用于集成电路晶圆制造，以及TSV封装、光波导、Micro-LED、OLED显示等高端技术领域。公司在北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的近40条生产线都设有技术服务中心，为客户提供每周7天，每天24小时的技术服务。

公司现有十余名海外高层次专家，结合国内优秀人才，形成了一支国际化的专业团队，具备高科技研发实力及管理经验。通过多年技术积累，公司已形成自主知识产权的核心技术群及知识产权体系，被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2019-2022)”。

公司总部坐落于沈阳市浑南区，占地80亩，拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房，总建筑面积达40,000平方米。第一期生产能力可实现年产100台套，全部投产可达350台套设备，可以满足下游客户增产需求。公司已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证，并拥有覆盖全球的供应商网络。

国产替代化浪潮，有望比肩国际寡头

目前，拓荆科技的产品已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用，同时公司已展开10nm及以下制程产品验证测试，公司在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。

招股书显示报告期内的前五大客户：

在国产替代化浪潮下，拓荆科技凭借已达到国际先进水平的研发及产业化核心技术，有望率先受益，并成为比肩国际寡头的企业之一。

公司董事会成员名单及其简历

从招股书披露的信息来看，董事会成员共9名，有不少外籍人员：

吕光泉先生，1965 年出生，美国国籍，美国加州大学圣地亚哥分校博士。1994 年8 月至2014 年8 月，先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS 部，历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014 年9 月至今就职于公司，曾任技术总监、总经理、董事，现任公司董事长。
姜谦先生，1952 年出生，美国国籍，美国布兰迪斯大学博士。1982 年1 月至2005 年10 月，先后任职于麻省理工学院、英特尔公司、美国诺发，历任研究员、研发副总裁等职；2006 年4 月至2010 年3 月，任欣欣科技（沈阳）有限公司执行董事。2010 年4 月至今就职于公司，曾任总经理、董事长，现任公司董事。
杨征帆先生，1981 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，英国布里斯托大学硕士。2004 年12 月至今，先后任职于清华同方威视技术股份有限公司、中国人民银行沈阳分行、开元（北京）城市发展基金有限公司、华芯投资管理有限责任公司（以下简称“华芯投资”），历任软件工程师、投资部门副总经理等职。2015 年12 月至今，任公司董事。
杨柳先生，1979 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，清华大学材料学硕士及MBA。2004 年4 月至2021 年3 月，先后就职于应用材料公司、大族激光、中广核太阳能开发有限公司和国开金融有限责任公司，历任技术工程师、工艺总监、投资管理高级经理、总经理助理等职；2021 年4 月至今，就职于华芯投资，任资深经理。2021 年12 月至今，任公司董事。
齐雷先生，1979 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，中国人民解放军信息工程大学硕士。2004 年8 月至今，先后任职于中国人民解放军某部队、中国国投高新产业投资有限公司、国投创业投资管理有限公司，历任助理研究员、执行总经理等职。2017 年9 月至今，任公司董事。
尹志尧先生，1944 年出生，美国国籍，加州大学洛杉矶分校博士。1984 年3 月至今，先后任职于英特尔中心、泛林半导体、应用材料、中微公司，历任工艺工程师、董事长等职。2015 年12 月至2017 年9 月，曾任拓荆有限董事；2021年1 月至今，任公司董事。
吴汉明先生，1952 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工学博士，中国工程院院士。1997 年10 月至今，先后任职于美国诺发、英特尔公司、中芯国际集成电路制造有限公司、浙江大学微纳电子学院，历任工程师、院长等职。2021年1 月至今，任公司独立董事。
黄宏彬先生，1971 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，上海财经大学工商管理硕士。1994 年7 月至今，先后任职于上海万国证券公司、上海证券交易所、金浦产业投资基金管理有限公司、京通智汇资产管理有限公司、金圆国际有限公司、上海斐君投资管理中心（有限合伙），历任稽核总部经理、创始合伙人等职。2021 年1 月至今，任公司独立董事。
赵国庆先生，1979 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，南京大学会计学博士，具有中国注册会计师资格。2002 年8 月至今，先后任职于南京市江宁地方税务局、国家税务总局税务干部学院、中汇江苏税务师事务所有限公司、上海易宏人力资源服务有限公司，历任副科长、业务总监等职。2021 年1 月至今，任公司独立董事。