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报告主题:宽禁带(WBG)功率器件电子封装
报告作者:H.Alan Mantooth
(Distinguished Professor,University of Arkansas)
报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)
学习重点
电力电子模块封装基础
宽禁带封装的基础知识
了解异构集成背后的动机
先进的 WBG 封装架构概览
WBG 封装的最新设备概览
宽禁带电力电子模块
3.3 kV 碳化硅设计
10 kV 碳化硅设计
具有嵌入式冷却的高级架构
设计和布局工具
报告详细内容
# 什么是电力电子模块?
电力电子模块是由两个或多个功率半导体器件组成的封装
# 功率模块的组成部分
# 1200V、450A 碳化硅半桥模块
# 集成度
智能功率模块集成:
栅极驱动器、系统通信、系统诊断
(热感应、过流保护、过压保护等)
# 电力电子模块的优缺点
优点:
提高性能,减少寄生电路元件
减少零件数量,提高可靠性
降低系统成本
缺点:
多材料接口、可靠性问题
热管理,减少散热面积
# 宽禁带电力电子模块
SiC 和 GaN 器件的高开关速度对其封装和电力电子模块提出了巨大挑战
电力电子模块的设计和制造涉及从电气、机械到材料工程的多学科知识
# 功率模块的材料和工艺开发
# 功率模块设计流程
# 传统功率模块
450A、1200V SiC 半桥模块,每个开关位置有 15 个并联 SiC MOSFET 和 9 个并联 SiC 二极管
从矩形模块到方形模块,寄生电感减少
# 高压功率模块
# 高压功率模块
寄生比较
友好的模块系统接口;
单/并联模块电流平衡;
低寄生L和C;
技术成熟,成本低。
# 高压功率模块
# SiC 3.3 kV 功率 MOSFET 模块封装
用于模块封装结构的下一代 SiC 功率器件的挑战
需要先进的封装结构和技术来充分实现高压和高速 SiC 功率器件的优势
# 3.3 kV/200 A SiC 功率模块主要参数和特征
# SiC功率MOSFET模块封装
典型的模块封装堆栈结构
# 3.3 kV/200 A SiC MOSFET 功率模块
低电感结构(第一代)
# 3.3 kV/200 A SiC MOSFET 功率模块
电感优化:嵌入式去耦(第二代)
# 3.3 kV/200 A SiC MOSFET 功率模块
电感优化:多针丝带键合(第三代)
# 3.3 kV/200 A SiC 功率模块
DPT(无外部缓冲电容器)
# 3.3 kV/200 A SiC 功率模块
总结和比较(CREE/Mitsubishi/UARK)
# UA开发出新型无焊料SiC功率MOSFET封装技术
• 采用倒装芯片键合的新形状因子使 MOSFET 能够键合
• 与 TO-247 封装相比,占位面积减少 14 倍
• 寄生环路电感降低了 3 倍
# 倒装芯片功率 MOSFET
# 引线键合和倒装芯片模块的比较
# 寄生电感比较
# 开关比较
# μcooled倒装芯片模块
# 倒装芯片功率 MOSFET 模块
# 垂直堆叠的 SiC 模块
# 制造工艺
# 双脉冲测试 (DPT)
# 集成模块
# 更多模块
# 总结
先进封装是WBG功率转换的关键
新的封装架构/材料系统需求量很大
现有的封装系统研究使之与WBG功率转换兼容
转换器级别的封装也是一个重要的话题
# 设计和布局工具
# 集成基础
在大多数应用中都需要减小尺寸和重量
更高的开关频率可以减小尺寸和重量 -> 更小的无源器件来提供功率
可能会受到电磁干扰等(EMI等)
必须应对更高频率的影响(寄生效应)
需要更完整的设计和实现方法
# 集成到电机驱动
将更多功能集成到模块中
利用可靠的技术
进一步推动高功率密度
# PowerSynth的概述
探索集成功率模块的设计空间
使用快速热和电气模型来快速测量电源模块性能
DRC-clean 解决方案的快速布局生成算法
多目标优化允许考虑许多权衡设计解决方案
轻松将设计解决方案导出到 Q3D 和 SolidWorks
目前的工作:在布局中考虑EMI;高压 (> 10 kV) 应用的可靠性限制
# 设计流程
# 用户输入
# 模型表征
# 优化算法和性能指标
# 多目标解决方案浏览器
# 导出设计
# 硬件验证
# 总结
电力电子模块封装基础
宽带隙封装的基础知识
了解异构集成背后的动机
先进的 WBG 封装架构概述
用于功率封装的高级工具
功率模块封装的关键要素
架构、设计工具、材料、协同设计(E、T、M、R、C)、制造、多功能
参考来源:H.Alan Mantooth
Distinguished Professor,University of Arkansas
部分编译:芯TIP@吴晰
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