从EUV工厂,看英特尔的代工服务发展之路

半导体产业纵横 2022-03-26 18:00

本文由半导体产业纵横编译自semiwiki

 

回溯英特尔作为微处理器制造商的历史,可以发现英特尔通常会增加最新的工艺节点n,在之前的节点n-1上进行批量生产,并逐步减少n-2节点的生产。英特尔通常不会在生产中保留较旧的节点。


 

 英特尔IDM 2.0工艺路线图

 

到2022年底,英特尔应该会增加他们的4nm节点,然后在2023年他们的3nm节点应该会增加,到2024年他们的20A(2nm)和18A(1.8nm)节点应该会增加。所有这些都是基于EUV的节点,到2024年底英特尔将很少使用基于非EUV的微处理器生产工艺。英特尔也正在建设基于EUV的生产工厂。

 

新墨西哥州的Fab 11X第1期和第2期是英特尔最古老的生产晶圆厂,它们正在转换为封装晶圆厂。11X-3D可能会继续为3D Xpoint运行。

 

俄勒冈州的Fab D1X第1、2和3阶段现在领导英特尔所有基于EUV的开发和早期生产。Fabs D1C/25和D1D是较老的开发/生产晶圆厂,不太可能转换为EUV工厂,目前用于非EUV生产。

 

亚利桑那州的Fab s52和62是正在建设中的EUV工厂。Fab42目前正在运行非EUV节点,但它是作为具有EUV能力的Fab建造的,并且有可能有一天会用于EUV生产。Fab 12和32是运行非EUV节点的生产工厂,很可能永远不会转换为EUV工厂。

 

爱尔兰的Fab 34是一个正在建设中的EUV工厂,目前正在搬入设备,这很可能是英特尔的第一个4nm EUV节点生产基地。Fab 24第1阶段和第2阶段是非EUV生产基地,可能永远不会用于EUV(除非它们在某个时候与Fab34合并)。

 

以色列的Fab 38是一座正在建设中的EUV工厂,将成为4nm EUV节点生产基地。Fab 28第1阶段和第2阶段是非EUV节点生产,可能永远不会用于EUV。  

 

俄亥俄州的基于EUV的晶圆厂Silicon Heartland 1和2正处于规划阶段。

 

德国的基于EUV的晶圆厂Silicon Junction 1和2正处于规划阶段。

 

总之,英特尔处于运行、建设或规划以下基于EUV的晶圆厂,D1X阶段1、2和3,Fab s42、52和62,Fab34,Fab 38,Silicon heartland 1和2以及Silicon Junction 1和2。

 

对于仍在运行的非EUV晶圆厂,英特尔拥有D1C/25、D1D、Fab s12和32、Fab 24第1和第2阶段以及Fab 28第1和第2阶段。即8个非EUV生产晶圆厂。

 

这意味着英特尔有实力进入代工业务。


 二次布局的代工业务

 

英特尔上一次试图进入代工业务时,并没有太大的水花,最终还是退出了市场。然而,英特尔的代工业务还是有优势的。

 

晶圆厂产能短缺,英特尔可能会释放大量晶圆厂产能。另外,三星在技术和良率方面被诟病已久。高通等公司曾多次尝试与三星合作,但还是多次被迫回到台积电。最新的例子是高通的Snapdragon 8 gen1,据报道,它在三星的4nm节点上只有35%的良率。如果英特尔能够有靠谱的技术和良率,英特尔的代工业务可能会有更好的发展。


 EUV工厂布局,不止英特尔

 

正如上文总结,英特尔计划建造和装备9个基于EUV的Fab。台积电也曾谈到3nm是比5nm更大的节点,并且开始规划2nm晶圆厂。三星也正计划在德克萨斯州建立一个新的基于EUV的工厂。SK海力士已开始将EUV用于DRAM,美光已将DRAM EUV的使用从delta代拉到gamma代。

 

EUV可以实现更简单的设计规则、更紧凑的布局和可能更好的性能。随着切换到水平纳米片,EUV将变得更加重要。


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