- 由GE科学家开发的Polaris工艺面向MEMS惯性传感器的开发和制造；
- IntelliSense提供的软件包可帮助客户更轻松地利用Polaris工艺定制其MEMS导航解决方案；
- GE Research的Polaris工艺可以实现无需GPS的MEMS高精度导航器件。
据麦姆斯咨询报道，近日，MEMS晶圆代工服务战略供应商GE
Research和领先的MEMS仿真软件提供商IntelliSense联合宣布就GE
Research命名为“Polaris”的MEMS惯性传感器制造工艺展开合作，双方将联手提高该工艺平台的可用性，帮助客户以低成本开发导航级MEMS惯性传感器。
GE Research撰写的Polaris工艺论文发表于2021 IEEE International Symposium on Inertial Sensors and Systems (INERTIAL)
GE Research电子与传感部主管兼执行任务负责人Todd Miller表示：“我们在开发Polaris工艺时就考虑到了导航级MEMS惯性传感器，现在我们可以提供一站式代工工艺。我们很高兴与IntelliSense合作，IntelliSense将利用软件使客户能够更轻松地设计并定制他们的MEMS解决方案。”
Todd Miller指出，Polaris工艺“设计-构建-测试”周期中最长的部分便是设计阶段。他说：“每一位新的设计人员在初期都会面对无数种选择。通过IntelliSense软件为Polaris建模，在Polaris中提供工艺流程开发套件和设计示例支持，将帮助客户更快速地导入晶圆厂，同时减少走弯路的成本。”
利用GE Research的Polaris工艺制造的MEMS器件的红外图像
Polaris仅用6层掩模和12周的周转时间，就将MEMS惯性传感器的制造障碍降至最低，支持30:1高深宽比蚀刻和采用硅通孔（TSV）的晶圆级真空封装。Polaris是基于绝缘体上硅（SOI）技术的全硅MEMS工艺，可提供25~150微米厚的器件层。利用Polaris工艺制造的MEMS器件天然支持高温工作。
IntelliSense软件应用和销售经理Sripadaraja表示，此次双方合作在IntelliSuite上提供GE
Research的Polaris工艺，使用户可以快速仿真工艺，通过设计的掩模和包括DRC（设计规则检查）的PDK（工艺设计套件），了解并优化完整的MEMS器件结构。利用“完整的MEMS仿真软件IntelliSuite”，将有助于优化带有定制掩模集的MEMS惯性传感器设计。此外，还可以进行多物理场和系统集成仿真。这至关重要，因为它可以通过提高产品质量、减少物理原型制作时间和成本，以及更快速地实现优化设计而使用户受益。
关于GE Research
GE Research是通用电气（GE）的创新引擎，在这里，研究与实现相辅相成。GE Research是一支由科学、工程和营销精英组成的世界级团队，致力于物理学和市场、数字技术的交汇，跨越广泛的行业，为我们的客户提供改变世界的创新和能力。该中心位于纽约尼什卡纳研究园区，拥有28000平方英尺的100级（ISO 9001认证）洁净室设施，可以支持从研发到小批量生产，并进一步将技术转移到大批量制造。
关于IntelliSense
IntelliSense是一家私营公司，总部位于美国马萨诸塞州波士顿郊外。25年前，该团队凭借其IntelliSuite®（一系列创新CAD工具）点燃了MEMS行业。IntelliSuite是业界领先的软件工具集，用于MEMS版图设计、先进工艺仿真、FEA、参数分析、系统仿真、封装分析等。IntelliSuite涵盖了MEMS设计周期的各个方面，为MEMS专业人士提供了开创性的端到端软件解决方案。
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